[發明專利]一種電芯結構、電池以及電子設備有效
| 申請號: | 202011643658.6 | 申請日: | 2020-12-31 |
| 公開(公告)號: | CN112615039B | 公開(公告)日: | 2022-05-17 |
| 發明(設計)人: | 陳志勇;黃培英 | 申請(專利權)人: | 廣東微電新能源有限公司 |
| 主分類號: | H01M10/04 | 分類號: | H01M10/04;H01M50/529;H01M50/538 |
| 代理公司: | 北京博雅睿泉專利代理事務所(特殊普通合伙) 11442 | 代理人: | 楊璐 |
| 地址: | 516055 廣東省惠州市仲愷*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 結構 電池 以及 電子設備 | ||
本發明涉及一種電芯結構、電池以及電子設備。所述電芯結構包括第一卷芯、第二卷芯以及至少一個極耳結構;所述第一卷芯包括卷繞成型的第一正極片、第一負極片以及位于所述第一正極片和所述第一負極片之間的第一隔膜;所述第二卷芯包括卷繞成型的第二正極片、第二負極片以及位于所述第二正極片和所述第二負極片之間的第二隔膜;所述極耳結構包括正極耳和負極耳;所述第一卷芯和所述第二卷芯具有卷繞方向相反的第一狀態和卷繞方向相同的第二狀態,在所述第二狀態下,所述第一卷芯與所述第二卷芯中的一個在卷繞末端設置有所述極耳結構,所述第一卷芯與所述第二卷芯中的另一個在卷繞首端設置有所述極耳結構。本發明可用于降低磁場底噪。
技術領域
本發明屬于電子產品技術領域,更具體地,本發明涉及一種電芯結構、電池以及電子設備。
背景技術
近年來,隨著電子科技的快速發展,各種類型的電子設備層出不窮。底噪是目前電子設備較為常見的問題,尤其是在3C數碼的耳機上。底噪,或稱本底噪聲,又稱背景噪聲,一般指電聲系統中除有用信號以外的總噪聲。底噪對于電子設備的使用是不利的,因此有必要降低電子設備的底噪。
在實現降低底噪的過程中,發明人發現產生底噪的原因很多,而絕大部分的底噪來源于電池。電池上有電流流動,就會不可避免產生底噪現象。對于現有的電池結構,其中的核心部件—卷芯大多為負極片包正極片,再經卷繞成型。現有的這種結構中,負極片和正極片都是始終在一個方向上進行卷繞的。在使用時,正、負極片都是有電流通過的,而正負極片始終沿同一個方向卷繞的結構會產生明顯的磁感應線圈,從而會產生底噪現象。
在相關技術中,目前為了解決電池產生的底噪問題,一般是在電池的外圍設計一個減少底噪的結構,但這樣需要根據不同規格的電池設計不同消除底噪的結構,其通用性不強。這不僅給電池的制造工藝帶來了麻煩,而且會增加電池的體積,不利于電池在微型電子設備內的裝配。
發明內容
本發明的目的在于提供一種電芯結構、電池以及電子設備的新技術方案,能夠很好的降低磁場底噪。
根據本發明的第一方面,提供了一種電芯結構。所述電芯結構包括:
第一卷芯,所述第一卷芯包括卷繞成型的第一正極片、第一負極片以及位于所述第一正極片和所述第一負極片之間的第一隔膜;
第二卷芯,所述第二卷芯包括卷繞成型的第二正極片、第二負極片以及位于所述第二正極片和所述第二負極片之間的第二隔膜;以及,
至少一個極耳結構,所述極耳結構包括正極耳和負極耳;
所述第一卷芯和所述第二卷芯具有卷繞方向相反的第一狀態和卷繞方向相同的第二狀態,
在所述第二狀態下,所述第一卷芯與所述第二卷芯中的一個在卷繞末端設置有所述極耳結構,所述第一卷芯與所述第二卷芯中的另一個在卷繞首端設置有所述極耳結構。
可選地,在所述第一狀態下,所述第一卷芯和所述第二卷芯中的一個按順時針方向卷繞,所述第一卷芯和所述第二卷芯中的另一個按逆時針方向卷繞;
在所述第二狀態下,所述第一卷芯與所述第二卷芯均按順時針方向卷繞,或者,所述第一卷芯與所述第二卷芯均按逆時針方向卷繞。
可選地,所述第二卷芯的中部形成用于容納所述第一卷芯的容置腔,所述第一卷芯設置于所述容置腔之內,以使所述第一卷芯與所述第二卷芯形成套設布置。
可選地,在所述第一狀態下,所述第一卷芯的第一正極片的卷繞末端與所述第二卷芯的第二正極片的卷繞首端連為一體,所述第一卷芯的第一負極片的卷繞末端與所述第二卷芯的第二負極片的卷繞首端連為一體,所述第二負極片的卷繞末端超出所述第二正極片的卷繞末端的結束位置;
所述極耳結構設置于所述第二卷芯的卷繞末端。
可選地,所述極耳結構的正極耳設置于所述第二正極片的卷繞末端,
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