[發(fā)明專利]一種平面TEM樣品的制備方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202011643547.5
• 申請日: 2020-12-30
• 公開（公告）號: CN112649624A
• 公開（公告）日: 2021-04-13
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 李全同;劉珠明;張衍俊;陳志濤
• 申請（專利權(quán)）人: 廣東省科學(xué)院半導(dǎo)體研究所
• 主分類號: G01Q30/20
• 分類號: G01Q30/20;G01N1/28;G01N1/32;G01N1/34
• 代理公司: 廣州三環(huán)專利商標(biāo)代理有限公司 44202
• 代理人: 陳旭紅;吳落

1.一種平面TEM樣品的制備方法，其特征在于，包括：

獲取包含待測區(qū)域的平面TEM樣品；其中，所述平面TEM樣品的襯底面具有淺凹且未經(jīng)過氬離子束減薄；

對所述平面TEM樣品進行氬離子束減薄，直到所述平面TEM樣品表面形成穿孔且所述淺凹的邊緣接觸到所述待測區(qū)域時，停止氬離子束減薄，獲得最終的平面TEM樣品。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的平面TEM樣品的制備方法，其特征在于，所述獲取包含待測區(qū)域的平面TEM樣品，具體過程為：

將測試的樣品切割成正方形；

對所述正方形樣品進行清洗；

對所述清洗后的正方形樣品的襯底面進行機械拋光，使所述正方形樣品的厚度達(dá)到420μm；

對所述機械拋光襯底面后的正方形樣品進行襯底面研磨處理以形成淺凹，制成所述包含待測區(qū)域平面TEM樣品。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的平面TEM樣品的制備方法，其特征在于，所述將測試的樣品切割成正方形，具體為：采用精密金剛石線鋸對所述樣品進行切割，獲得邊長為2mm的正方形樣品；其中，所述金剛石線鋸的線寬為260μm。

4.根據(jù)權(quán)利要求根據(jù)權(quán)利要求2所述的平面TEM樣品的制備方法，其特征在于，所述對所述正方形樣品進行清洗，具體為：采用丙酮和無水乙醇對所述正方形樣品進行清洗。

5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的平面TEM樣品的制備方法，其特征在于，所述對所述清洗后的正方形樣品的襯底面進行機械拋光，具體為：采用粗糙度為30μm、15μm和9μm的拋光紙對所述清洗后的正方形樣品進行機械拋光。

6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的平面TEM樣品的制備方法，其特征在于，所述對所述機械拋光襯底面后的正方形樣品進行襯底面研磨處理以形成淺凹，制成所述包含待測區(qū)域平面TEM樣品，具體為：

采用壓窩器對所述機械拋光后的正方形樣品的襯底面進行研磨，且研磨過程中在窩輪和所述正方形樣品之間加入研磨粉和去離子水；獲得所述包含待測區(qū)域平面TEM樣品；其中，所述壓窩器的直徑為1cm，所述研磨粉的顆粒直徑為0.5μm。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的平面TEM樣品的制備方法，其特征在于，所述淺凹的凹口直徑為700～800μm，所述淺凹的深度為380～400μm。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的平面TEM樣品的制備方法，其特征在于，所述襯底面為藍(lán)寶石襯底面。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的平面TEM樣品的制備方法，其特征在于，所述表面為氮化銦鎵面。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的平面TEM樣品的制備方法，其特征在于，所述對所述平面TEM樣品進行氬離子束減薄，直到所述平面TEM樣品表面形成穿孔且所述淺凹的邊緣接觸到所述待測區(qū)域時，停止氬離子束減薄，獲得最終的平面TEM樣品，具體過程為：

對所述平面TEM樣品進行氬離子束減薄，使所述平面TEM樣品達(dá)到第一預(yù)設(shè)條件；

改變氬離子速的入射角度，并降低氬離子槍的電子能量，繼續(xù)對所述平面TEM樣品進行氬離子束減薄，直到所述平面TEM樣品表面形成穿孔且所述淺凹的邊緣接觸到所述待測區(qū)域時，停止氬離子束減薄，獲得最終的平面TEM樣品。