[發明專利]一種發光二極管的外延片生長裝置在審
| 申請號: | 202011641892.5 | 申請日: | 2020-12-31 |
| 公開(公告)號: | CN112802777A | 公開(公告)日: | 2021-05-14 |
| 發明(設計)人: | 祁曉峰;周曄;魏良 | 申請(專利權)人: | 江蘇長弘半導體有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67;H01L33/00 |
| 代理公司: | 蘇州市中南偉業知識產權代理事務所(普通合伙) 32257 | 代理人: | 王敏 |
| 地址: | 213000 江*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 發光二極管 外延 生長 裝置 | ||
1.一種發光二極管的外延片生長裝置,其特征在于,包括底板(1)、反應室(2)、進氣管(3)、出氣管(4)、風機(5)、第一閥門(6)、第二閥門(7)和真空機構,所述反應室(2)固定安裝在底板(1)上,所述反應室(2)內部設置有腔室,所述進氣管(3)固定安裝在反應室(2)上并與腔室連通,新鮮空氣經進氣管(3)輸送至底板(1)腔室內,所述出氣管(4)固定安裝在反應室(2)上并與腔室連通,所述出氣管(4)的輸出端與風機(5)的輸入端連接,所述風機(5)固定安裝在底板(1)上,所述風機(5)通過出氣管(4)將底板(1)腔室內的廢氣抽出,所述風機(5)的輸出端與廢氣回收機構連通,所述第一閥門(6)固定安裝在進氣管(3)上,所述第二閥門(7)固定安裝在出氣管(4)上,所述真空裝置固定安裝在底板(1)上并與反應室(2)連通,所述真空裝置用于反應室(2)腔室內抽真空。
2.如權利要求1所述的一種發光二極管的外延片生長裝置,其特征在于,真空裝置真空泵(8)和真空管(9),所述真空泵(8)固定安裝在底板(1)上,所述真空泵(8)的輸入端與真空管(9)的輸出端連接,所述真空管(9)的輸入端與反應室(2)的輸出端連接。
3.如權利要求1所述的一種發光二極管的外延片生長裝置,其特征在于,還包括第三閥門(10),所述第三閥門(10)固定安裝在真空管(9)上。
4.如權利要求2所述的一種發光二極管的外延片生長裝置,其特征在于,還包括第一壓力表(11)和第二壓力表(12),所述第一壓力表(11)固定安裝在真空管(9)上,所述第二壓力表(12)固定安裝在進氣管(3)上。
5.如權利要求1所述的一種發光二極管的外延片生長裝置,其特征在于,還包括鉸鏈(13)和門板(14),所述鉸鏈(13)安裝在反應室(2)上,所述門板(14)通過鉸鏈(13)與反應室(2)轉動連接。
6.如權利要求5所述的一種發光二極管的外延片生長裝置,其特征在于,還包括把手(15)和鎖扣(16),所述把手(15)安裝在門板(14)上,所述鎖扣(16)安裝在把手(15)上。
7.如權利要求1所述的一種發光二極管的外延片生長裝置,其特征在于,還包括若干組螺栓(17),若干組所述螺栓(17)安裝在反應室(2)上并與底板(1)連接。
8.如權利要求3所述的一種發光二極管的外延片生長裝置,其特征在于,所述第一閥門(6)、第二閥門(7)和第三閥門(10)均采用單向閥。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





