[發明專利]一種用于閃存的閾值分布擬合方法、裝置及系統

有效

• 申請號: 202011641118.4
• 申請日: 2020-12-31
• 公開（公告）號: CN112735502B
• 公開（公告）日: 2022-08-23
• 發明（設計）人: 王頎;楊柳;何菁;李前輝;于曉磊;霍宗亮;葉甜春
• 申請（專利權）人: 中國科學院微電子研究所
• 主分類號: G11C16/34
• 分類號: G11C16/34
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 柳虹

1.一種用于閃存的閾值分布擬合方法，其特征在于，包括：

對初始閾值電壓分布態中的多個電壓區間內的存儲單元分布進行擬合，得到第一擬合正態分布參數；所述第一擬合正態分布參數包括第一擬合期望值和第一擬合標準差；所述初始閾值電壓分布態為所述閃存中閾值電壓最高的閾值電壓分布態或閾值電壓最低的閾值電壓分布態；

基于目標電壓區間內的存儲單元分布，以及已擬合閾值電壓分布態的第二擬合正態分布參數，擬合得到所述閃存的待擬合閾值電壓分布態的第三擬合正態分布參數；其中，所述已擬合閾值電壓分布態和所述待擬合閾值電壓分布態為所述閃存的閾值電壓分布態中的兩個相鄰的閾值電壓分布態，在所述已擬合閾值電壓分布態與所述初始閾值電壓分布態不為同一個時，所述待擬合閾值電壓分布態和所述初始閾值電壓分布態位于所述已擬合閾值電壓分布態的兩側；

所述目標電壓區間包括：所述已擬合閾值電壓分布態中的第一閾值電壓和所述待擬合閾值電壓分布態中的第二閾值電壓之間的多個電壓區間；所述第二擬合正態分布參數包括第二擬合期望值和第二擬合標準差；所述第三擬合正態分布參數包括第三擬合期望值和第三擬合標準差。

2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，還包括：

基于所述第一擬合正態分布參數，預測待擬合閾值電壓分布態的第三預測正態分布參數，所述第三預測正態分布參數包括第三預測期望值和第三預測標準差；

則，所述基于目標電壓區間內的存儲單元分布，以及已擬合閾值電壓分布態的第二擬合正態分布參數，擬合得到所述閃存的待擬合閾值電壓分布態的第三擬合正態分布參數，包括：

基于目標電壓區間內的存儲單元分布，以及已擬合閾值電壓分布態的第二擬合正態分布參數，以及所述第三預測正態分布參數，擬合得到所述閃存的待擬合閾值電壓分布態的第三擬合正態分布參數。

3.根據權利要求2所述的方法，其特征在于，所述初始閾值電壓分布態為所述閃存中閾值電壓最高的閾值電壓分布態，所述初始閾值電壓分布態中的多個電壓區間包括：所述初始閾值電壓分布態中大于所述初始閾值電壓分布態的讀取電壓的多個電壓區間。

4.根據權利要求3所示的方法，其特征在于，所述已擬合閾值電壓分布態具有第二預測期望值和第二預測標準差；則，

所述已擬合閾值電壓分布態中第一閾值電壓為以下范圍中的任意一個閾值電壓：所述第二預測期望值與3倍的所述第二預測標準差的和，至所述第二預測期望值；

所述待擬合閾值電壓分布態中的第二閾值電壓為以下范圍中的任意一個閾值電壓：所述第三預測期望值與3倍的所述第三預測標準差的差值，至所述第三預測期望值。

5.根據權利要求2-4任意一項所述的方法，其特征在于，所述初始閾值電壓分布態具有第一初始期望值和第一初始標準差，所述基于所述第一擬合正態分布參數，預測待擬合閾值電壓分布態的第三預測正態分布參數，包括：

基于所述第一擬合期望值、所述第一初始期望值和第三初始期望值，確定所述第三預測期望值；

基于所述第三預測期望值和第三初始標準差，確定所述第三預測標準差。

6.根據權利要求5所示的方法，其特征在于，所述基于所述第一擬合期望值、所述第一初始期望值和所述第三初始期望值，確定所述第三預測期望值，包括：

基于所述第一初始期望值與閾值電壓基態期望值的差值，與所述第三初始期望值與所述閾值電壓基態期望值的差值，的比值，計算所述第一初始期望值的偏差值和所述第三初始期望值的偏差值的比值；所述第一初始期望值的偏差值為所述第一初始期望值和所述第一擬合期望值的差值；所述第三初始期望值的偏差值為所述第三初始期望值和所述第三預測期望值的差值；

利用所述第一初始期望值的偏差值和所述第三初始期望值的偏差值的比值，以及所述第一初始期望值的偏差值，計算得到所述第三初始期望值的偏差值；

基于所述第三初始期望值的偏差值對所述第三初始期望值進行補償，得到第三預測期望值；

則，所述基于所述第三預測期望值和所述第三初始標準差，確定所述第三預測標準差，包括：

基于第三預測期望值計算得到第三初始標準差的偏差值；

根據所述第三初始標準差和所述第三初始標準差的偏差值的平方和，確定所述第三預測標準差。