[發(fā)明專利]無機半導體-MOFs衍生物雙空復合材料及其制備方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 202011639984.X | 申請日: | 2020-12-31 |
| 公開(公告)號: | CN112808238B | 公開(公告)日: | 2022-04-22 |
| 發(fā)明(設計)人: | 李映偉;李配;陳俊英 | 申請(專利權)人: | 華南理工大學 |
| 主分類號: | B01J20/22 | 分類號: | B01J20/22;B01J20/28;B01J20/30;B01J27/043;C01B3/02;B01D53/02 |
| 代理公司: | 廣州粵高專利商標代理有限公司 44102 | 代理人: | 何淑珍;江裕強 |
| 地址: | 510640 廣*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 無機 半導體 mofs 衍生物 復合材料 及其 制備 方法 | ||
1.無機半導體-MOFs衍生物雙空復合材料的制備方法,其特征在于,包括如下步驟:
(1) 將苯乙烯通過乳液聚合合成PS小球,然后二氧化鈦前驅體通過溶膠凝膠法在PS小球上包覆二氧化鈦,最后通過煅燒去除PS小球的內(nèi)核,制備空心二氧化鈦;
(2) 將步驟(1)所述的空心二氧化鈦加入金屬前驅體和有機配體超聲攪拌反應,離心、洗滌,真空烘干,得TiO2@ZnCo-ZIFs材料;
(3) 將步驟(2)所述的TiO2@ZnCo-ZIFs材料與CH3CSNH2的乙醇溶液混合進行硫化反應,經(jīng)離心、洗滌,真空烘干,得到三維多級TiO2@ZnCoS雙空復合材料;
步驟(1)所述乳液聚合合成PS小球具體為:苯乙烯和水混合,再加入K2S2O8的水溶液進行乳液聚合合成;所述苯乙烯和水的體積比為1:9~11,所述乳液中K2S2O8濃度范圍為0.3 ~0.4g/L;
步驟(2)所述的金屬前驅體為 Zn(NO3)2?6H2O 和 Co(NO3)2?6H2O,所述的有機配體為2-甲基咪唑;所述超聲攪拌的溫度為50~55℃,超聲攪拌的時間為10~15min;
步驟(2)所述空心二氧化鈦、金屬前驅體和有機配體的摩爾比為0.35 ~ 0.4:1:2~2.5;
步驟(3)所述硫化反應的時間為12~15h;硫化反應的溫度為35~40℃ ;所述TiO2@ZnCo-ZIFs與CH3CSNH2的質量比為1:5~6。
2.根據(jù)權利要求1所述的無機半導體-MOFs衍生物雙空復合材料的制備方法,其特征在于,步驟(1)所述乳液聚合合成的溫度為70~75℃,乳液聚合合成的時間為24~30 h。
3.根據(jù)權利要求1所述的無機半導體-MOFs衍生物雙空復合材料的制備方法,其特征在于,步驟(1)中所述溶膠凝膠法具體為:將所述PS小球、二氧化鈦前驅體、28%氨水分散到無水乙醇和無水乙腈的混合溶劑中,攪拌,離心,洗滌,真空烘干;所述二氧化鈦前驅體、28%氨水和混合溶劑的體積比為1:0.5 ~ 0.7:180 ~ 200;所述溶膠凝膠的形成時間為5~7 h,溫度為室溫;所述的二氧化鈦前驅體為鈦酸四丁酯。
4.根據(jù)權利要求1所述的無機半導體-MOFs衍生物雙空復合材料的制備方法,其特征在于,步驟(1)所述煅燒的溫度為500 ~ 550 ℃;煅燒的時間為5~8 h;煅燒的升溫速率為3 ~5 ℃/min。
5.根據(jù)權利要求1所述的無機半導體-MOFs衍生物雙空復合材料的制備方法,其特征在于,步驟(2)和(3)所述真空烘干的溫度為60~80℃ 。
6.權利要求1至5任一項所述的制備方法制備的無機半導體-MOFs衍生物雙空復合材料。
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