[發明專利]量子點發光二極管及其制備方法

在審

• 申請號: 202011639231.9
• 申請日: 2020-12-31
• 公開（公告）號: CN114695734A
• 公開（公告）日: 2022-07-01
• 發明（設計）人: 王勁;嚴怡然;周禮寬;楊一行;曹蔚然
• 申請（專利權）人: TCL科技集團股份有限公司
• 主分類號: H01L51/50
• 分類號: H01L51/50;H01L51/52;H01L51/56
• 代理公司: 深圳中一聯合知識產權代理有限公司 44414
• 代理人: 黃志云

本申請涉及顯示技術領域，提供了一種量子點發光二極管及其制備方法。量子點發光二極管，包括相對設置的陽極和陰極，設置在所述陽極和所述陰極之間的量子點發光層，以及設置在所述量子點發光層和所述陰極之間的電子功能層；所述陰極背離所述陽極的表面經活性材料處理，或在所述陰極背離所述陽極的表面設置緩沖層，所述緩沖層的材料含有活性材料；其中，所述活性材料選自至少一個氫原子被羧基取代的有機烴、含有碳碳雙鍵或碳碳三鍵或苯環的有機酯和不飽和酮中的至少一種。

技術領域

本發明屬于顯示技術領域，尤其涉及一種量子點發光二極管及其制備方法。

背景技術

量子點發光二極管(Quantum Dot Light Emitting Diodes，QLED)是基于量子點(quantum dots，QDs)技術的電致發光器件，具有自發光、無需背光模組、視角寬、對比度高、全固化、適用于撓曲性面板、溫度特性好、響應速度快和節能環保等一系列優異特性，已經成為新型顯示技術的研究熱點和重點發展方向。

QLED器件雖然借鑒和利用了有機發光二極管(Organic Light-Emitting Diode，OLED)器件結構，但因其材料構成的差異，兩者的老化現象和老化機理差異巨大。如QLED器件存在各種效率(電流、功率或外量子效率)隨時間而衰減或提升的現象，即“負老化效應”和“正老化效應”。目前，老化效應的機理尚不明確，諸多研究總結指出，引起器件效率變化主要源于空穴功能層退化、界面電荷聚集、電子功能層表面缺陷態抑制及電荷遷移率改變等因素。此外，不同發光顏色量子點的材料本身與其他功能層材料匹配性差異同樣會造成器件老化機理的不同，如紅色QLED器件老化效應更多由有機空穴功能層的退化引起，而藍色QLED器件老化效應則更多是因為量子點發光層與電子功能層的導帶最大能級conduction-band maximum，CBM)失配導致的電子在電子功能層聚集。

中國專利CN107148683提供了一種提升量子點二極管的正老化效應和穩定性的方法和結構，其揭露：含有飽和/不飽和羧酸等活性材料的可固化樹脂封裝的QLED器件，其正老化效應顯著，且對封裝后器件加熱處理能進一步提升效率和加速正向老化過程(正老化效應一般4～8天左右完成，效率趨于穩定)。該技術方案，是通過活性材料混入可固化封裝樹脂、QLED器件暴露于包含活性材料的周圍環境或用包含活性材料的溶液清洗QLED堆疊層將活性材料引入QLED器件。專利圖5的數據證明，綠色QLED器件正老化效應最為顯著，效率提升～175％(效率提升比例為最大器件效率和第一天測試效率差值與第一天測試效率比值的百分數)，但藍色和紅色QLED器件的正老化效應表現為較小的程度，最高效率提升僅～20％。

發明內容

本申請的目的在于提供一種量子點發光二極管及其制備方法，旨在解決采用飽和/不飽和羧酸等活性材料封裝器件時，對藍色和紅色QLED器件正老化效應不明顯的問題。

為實現上述申請目的，本申請采用的技術方案如下：

第一方面，本申請提供一種量子點發光二極管，包括相對設置的陽極和陰極，設置在所述陽極和所述陰極之間的量子點發光層，以及設置在所述量子點發光層和所述陰極之間的電子功能層；

所述陰極背離所述陽極的表面經活性材料處理，或所述陰極背離所述陽極的表面設置緩沖層，所述緩沖層的材料含有活性材料；

其中，所述活性材料選自至少一個氫原子被羧基取代的有機烴、含有碳碳雙鍵或碳碳三鍵或苯環的有機酯和不飽和酮中的至少一種。

第二方面，本申請提供三種量子點發光二極管的制備方法。

第一種量子點發光二極管的制備方法，包括以下步驟：

提供預制器件，所述預制器件包括陽極基板，結合在陽極基板的陽極表面的量子點發光層，結合在量子點發光層背離陽極的表面的電子功能層，以及結合在電子功能層背離量子點發光層的表面的陰極；