[發(fā)明專利]基于浮柵晶體管的脈沖神經(jīng)元網(wǎng)絡(luò)

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202011638759.4
• 申請(qǐng)日: 2020-12-31
• 公開（公告）號(hào): CN112819148A
• 公開（公告）日: 2021-05-18
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 王青;陳靜;呂迎歡;謝甜甜;趙瑞勇
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 中國科學(xué)院上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所;上海華力微電子有限公司
• 主分類號(hào): G06N3/063
• 分類號(hào): G06N3/063;G06N3/06;H01L29/788
• 代理公司: 上海盈盛知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 31294
• 代理人: 孫佳胤

1.一種基于浮柵晶體管的脈沖神經(jīng)元網(wǎng)絡(luò)，其特征在于，包括多節(jié)點(diǎn)輸入單元和脈沖產(chǎn)生單元：

所述多節(jié)點(diǎn)輸入單元包括一多輸入端浮柵晶體管，多輸入端浮柵晶體管的多個(gè)柵極輸入端分別連接外部的多個(gè)仿生傳感器輸入信號(hào)，源極接地，漏極接脈沖產(chǎn)生單元的正極；

脈沖產(chǎn)生單元包括一Mott憶阻器，Mott憶阻器的負(fù)極連接工作電壓，正極連接晶體管的漏極，并作為所述脈沖神經(jīng)元網(wǎng)絡(luò)的脈沖輸出端。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于浮柵晶體管的脈沖神經(jīng)元網(wǎng)絡(luò)，其特征在于，所述多節(jié)點(diǎn)輸入單元的由多輸入端浮柵晶體管是全耗盡SOI材料作為襯底的多輸入端浮柵晶體管。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的基于浮柵晶體管的脈沖神經(jīng)元網(wǎng)絡(luò)，其特征在于，所述晶體管包括襯底、襯底表面的埋層氧化物、以及埋層氧化表面的頂層硅，所述頂層硅通過摻雜形成源、漏、以及源漏之間的采用薄膜硅料形成的導(dǎo)電溝道；導(dǎo)電溝道的表面設(shè)置柵極以及柵極表面的浮柵。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的基于浮柵晶體管的脈沖神經(jīng)元網(wǎng)絡(luò)，其特征在于，所述全耗盡SOI材料作為襯底的多輸入端浮柵晶體管采用22nm節(jié)點(diǎn)工藝。