[發(fā)明專利]溝槽型功率器件的制備方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 202011637785.5
• 申請日: 2020-12-31
• 公開（公告）號: CN112750696B
• 公開（公告）日: 2022-12-02
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 龐宏民;黃康榮;寧潤濤
• 申請（專利權(quán)）人: 廣州粵芯半導(dǎo)體技術(shù)有限公司
• 主分類號: H01L21/28
• 分類號: H01L21/28;H01L29/423
• 代理公司: 上海思捷知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 31295
• 代理人: 王宏婧

1.一種溝槽型功率器件的制備方法，其特征在于，包括：

提供基底，所述基底包括器件單元區(qū)和電極連接區(qū)，在所述基底上形成ONO層；

刻蝕所述基底，以在所述器件單元區(qū)形成若干第一溝槽以及在所述電極連接區(qū)形成若干第二溝槽；

通過熱氧化工藝在所述第一溝槽及所述第二溝槽的外延層內(nèi)壁上形成第一介質(zhì)層；

分別在所述第一溝槽及所述第二溝槽中的第一介質(zhì)層上形成屏蔽柵層及電極連接層，所述屏蔽柵層填充所述第一溝槽且頂部低于所述第一溝槽的外延層頂部，所述電極連接層填充滿所述第二溝槽；

以所述ONO層以及所述電極連接層作為掩模對所述第一溝槽中的第一介質(zhì)層進(jìn)行濕法刻蝕以使所述第一溝槽中的第一介質(zhì)層的頂部低于所述屏蔽柵層的頂部；

去除所述ONO層，并在所述基底上依次形成第二介質(zhì)層及多晶硅層，所述第二介質(zhì)層覆蓋所述第一溝槽的側(cè)壁及所述屏蔽柵層的暴露的外壁，所述多晶硅層填充所述第一溝槽。

2.如權(quán)利要求1所述的溝槽型功率器件的制備方法，其特征在于，所述ONO層為第一氧化物層、氮化物層及第二氧化物層的疊層，所述氮化物層位于所述第一氧化物層及所述第二氧化物層之間，所述第一氧化物層較所述第二氧化物層更靠近所述基底。

3.如權(quán)利要求2所述的溝槽型功率器件的制備方法，其特征在于，對所述第一溝槽中的第一介質(zhì)層進(jìn)行濕法刻蝕之后，至少所述第二氧化物層被去除。

4.如權(quán)利要求3所述的溝槽型功率器件的制備方法，其特征在于，對所述ONO層進(jìn)行濕法刻蝕以去除所述ONO層。

5.如權(quán)利要求4所述的溝槽型功率器件的制備方法，其特征在于，采用不同的刻蝕劑去除所述氮化物層及所述第一氧化物層。

6.如權(quán)利要求2所述的溝槽型功率器件的制備方法，其特征在于，所述第二氧化物層的厚度為

7.如權(quán)利要求2或6所述的溝槽型功率器件的制備方法，其特征在于，所述氮化物層的厚度為

8.如權(quán)利要求7所述的溝槽型功率器件的制備方法，其特征在于，所述第一氧化物層的厚度為

9.如權(quán)利要求1所述的溝槽型功率器件的制備方法，其特征在于，對所述第一溝槽中的第一介質(zhì)層進(jìn)行濕法刻蝕采用的刻蝕劑為氫氟酸溶液。