[發(fā)明專利]基于點接觸和復(fù)合膜層的PERC電池

在審

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• 申請日: 2020-12-31
• 公開（公告）號: CN112736146A
• 公開（公告）日: 2021-04-30
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 周塘華;易輝;馬剛;劉照;周祥;羅侃
• 申請（專利權(quán)）人: 湖南紅太陽新能源科技有限公司
• 主分類號: H01L31/0216
• 分類號: H01L31/0216;H01L31/0224;H01L31/068
• 代理公司: 湖南兆弘專利事務(wù)所(普通合伙) 43008
• 代理人: 黃麗

1.一種基于點接觸和復(fù)合膜層的PERC電池，其特征在于，包括P型硅基底(1)，所述P型硅基底(1)的正面由內(nèi)往外設(shè)有N+發(fā)射極層(2)和正面復(fù)合膜層，所述正面復(fù)合膜層包括由內(nèi)往外依次設(shè)置的正面二氧化硅層(3)、正面氮化硅層(4)和正面TCO層(5)，所述N+發(fā)射極層(2)上設(shè)有銀點陣列結(jié)構(gòu)，所述銀點陣列結(jié)構(gòu)穿過所述正面二氧化硅層(3)、正面氮化硅層(4)延伸至所述正面TCO層(5)內(nèi)，所述N+發(fā)射極層(2)上對應(yīng)銀點(6)的位置設(shè)有N++重?fù)诫s區(qū)(7)，所述銀點(6)與所述N++重?fù)诫s區(qū)(7)接觸，所述正面TCO層(5)上設(shè)有正面電極(8)，所述P型硅基底(1)的背面由內(nèi)往外依次設(shè)有背面氧化鋁層(9)、背面氮化硅層(10)和鋁背場層(11)。

2.一種基于點接觸和復(fù)合膜層的PERC電池，其特征在于，包括P型硅基底(1)，所述P型硅基底(1)的正面由內(nèi)往外設(shè)有N+發(fā)射極層(2)和正面復(fù)合膜層，所述正面復(fù)合膜層包括由內(nèi)往外依次設(shè)置的正面二氧化硅層(3)、正面氮化硅層(4)和正面TCO層(5)，所述N+發(fā)射極層(2)上設(shè)有銀點陣列結(jié)構(gòu)，所述銀點陣列結(jié)構(gòu)穿過所述正面二氧化硅層(3)、正面氮化硅層(4)延伸至所述正面TCO層(5)內(nèi)，所述N+發(fā)射極層(2)上對應(yīng)銀點(6)的位置設(shè)有N++重?fù)诫s區(qū)(7)，所述銀點(6)與所述N++重?fù)诫s區(qū)(7)接觸，所述正面TCO層(5)上設(shè)有正面電極(8)，所述P型硅基底(1)的背面包括由內(nèi)往外依次設(shè)置的背面氧化鋁層(9)、背面氮化硅層(10)和背面TCO層(12)，所述P型硅基底(1)的背面還設(shè)有鋁點陣列結(jié)構(gòu)，所述鋁點陣列結(jié)構(gòu)穿過所述背面氧化鋁層(9)延伸至所述背面氮化硅層(10)，所述背面TCO層(12)上設(shè)有背面電極(13)。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的基于點接觸和復(fù)合膜層的PERC電池，其特征在于，所述鋁點陣列結(jié)構(gòu)是通過激光陣列開槽、鋁漿與所述P型硅基底(1)印刷燒結(jié)接觸，形成局部鋁背場結(jié)構(gòu)。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的基于點接觸和復(fù)合膜層的PERC電池，其特征在于，所述鋁點陣列結(jié)構(gòu)中，鋁點(14)的直徑為20μm～200μm，相鄰鋁點(14)的間距為0.2mm～1mm。

5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的基于點接觸和復(fù)合膜層的PERC電池，其特征在于，所述背面氧化鋁層(9)的厚度為3nm～25nm，所述背面氮化硅層(10)的厚度為20nm～120nm，所述背面TCO層(12)的厚度為30nm～120nm。

6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的基于點接觸和復(fù)合膜層的PERC電池，其特征在于，所述背面電極(13)由背銀電極(15)、相互垂直設(shè)置的主柵線(16)與副柵線(17)構(gòu)成，所述主柵線(16)為鋁主柵線或銀主柵線，所述副柵線(17)對應(yīng)地為鋁副柵線或銀副柵線，所述鋁主柵線為0～20根，所述鋁主柵線的寬度為0.5mm～2mm，所述鋁副柵線的寬度為50μm～200μm，相鄰所述鋁副柵線的間距為0.5mm～2mm，所述銀主柵線為0～20根，所述銀主柵線的寬度為0.2mm～1.5mm，所述銀副柵線的寬度為25μm～35μm，相鄰所述銀副柵線的間距為0.5mm～2mm。

7.根據(jù)權(quán)利要求1～6中任一項所述的基于點接觸和復(fù)合膜層的PERC電池，其特征在于，所述銀點陣列結(jié)構(gòu)中，銀點(6)的直徑為0.05μm～80μm，相鄰銀點(6)的間距為0.05mm～2mm。

8.根據(jù)權(quán)利要求1～6中任一項所述的基于點接觸和復(fù)合膜層的PERC電池，其特征在于，所述正面二氧化硅層(3)的厚度為0.5nm～10nm，所述正面氮化硅層(4)的厚度為10nm～60nm，所述正面氮化硅層(4)的折射率為2.0～2.6，所述正面TCO層(5)的厚度為10nm～100nm。