[發(fā)明專利]制造半導(dǎo)體器件的方法和半導(dǎo)體器件

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• 申請?zhí)枺?/td>: 202011634838.8
• 申請日: 2020-12-31
• 公開（公告）號(hào): CN113314608A
• 公開（公告）日: 2021-08-27
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 沙哈吉·B·摩爾;蔡俊雄
• 申請（專利權(quán)）人: 臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L29/78
• 分類號(hào): H01L29/78;H01L29/423;H01L29/06;H01L21/336
• 代理公司: 北京德恒律治知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11409
• 代理人: 章社杲;李偉

1.一種制造半導(dǎo)體器件的方法，包括：

在下部鰭結(jié)構(gòu)上方形成其中第一半導(dǎo)體層和第二半導(dǎo)體層交替堆疊的上部鰭結(jié)構(gòu)；

在所述上部鰭結(jié)構(gòu)上方形成犧牲柵極結(jié)構(gòu)；

蝕刻所述上部鰭結(jié)構(gòu)的未被所述犧牲柵極結(jié)構(gòu)覆蓋的源極/漏極區(qū)域，從而形成源極/漏極空間；

穿過所述源極/漏極空間橫向蝕刻所述第一半導(dǎo)體層；

在每個(gè)蝕刻的第一半導(dǎo)體層的端部上形成由介電材料制成的內(nèi)部間隔件；以及

在所述源極/漏極空間中形成源極/漏極外延層以覆蓋所述內(nèi)部間隔件，

其中，在蝕刻所述源極/漏極區(qū)域時(shí)，還蝕刻所述下部鰭結(jié)構(gòu)的一部分以形成凹槽，在所述凹槽中暴露(111)表面。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述凹槽的截面具有V形或三角形形狀。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，形成所述源極/漏極外延層包括：形成與所述第二半導(dǎo)體層和所述內(nèi)部間隔件的端部接觸的第一外延層，以及形成在所述第一外延層上形成的第二外延層。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其中，形成所述源極/漏極外延層還包括：在所述第二外延層上形成第三外延層，使得所述第三外延層不與所述第一外延層接觸。

5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其中，所述第一外延層包括SiP，并且所述第二外延層包括具有比所述第一外延層更高的P濃度的SiP。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其中，所述第三外延層包括SiGeP。

7.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其中，所述第一外延層包括選自由SiP、SiAs和SiP:As組成的組中的一種或多種，其中，As濃度高于P濃度。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，每個(gè)所述第二半導(dǎo)體層的端部均為(110)表面。

9.一種制造半導(dǎo)體器件的方法，包括：

在下部鰭結(jié)構(gòu)上方形成其中第一半導(dǎo)體層和第二半導(dǎo)體層交替堆疊的上部鰭結(jié)構(gòu)；

在所述上部鰭結(jié)構(gòu)上方形成犧牲柵極結(jié)構(gòu)；

蝕刻所述上部鰭結(jié)構(gòu)的未被所述犧牲柵極結(jié)構(gòu)覆蓋的源極/漏極區(qū)域，從而形成具有V形底部的源極/漏極空間；

穿過所述源極/漏極空間橫向蝕刻所述第一半導(dǎo)體層；

在每個(gè)蝕刻的第一半導(dǎo)體層的端部上形成由介電材料制成的內(nèi)部間隔件；以及

在所述源極/漏極空間中形成源極/漏極外延層以覆蓋所述內(nèi)部間隔件，其中：

形成所述源極/漏極外延層包括：

形成第一外延層；和

在所述第一外延層上形成第二外延層，并且

在所述第二半導(dǎo)體層的端部上的第一外延層在水平方向上的厚度大于在所述內(nèi)部間隔件上的第一外延層在水平方向上的厚度。

10.一種半導(dǎo)體器件，包括：

半導(dǎo)體線或片，設(shè)置在襯底上方；

源極/漏極外延層，與所述半導(dǎo)體線或片接觸；

柵極介電層，設(shè)置在所述半導(dǎo)體線或片的每個(gè)溝道區(qū)域上并圍繞所述半導(dǎo)體線或片的每個(gè)溝道區(qū)域；

柵電極層，設(shè)置在所述柵極介電層上并圍繞每個(gè)溝道區(qū)域；以及

絕緣間隔件，分別設(shè)置在空間中，所述空間由相鄰的半導(dǎo)體線或片、柵電極層和源極/漏極區(qū)域限定，

其中，所述源極/漏極外延層包括晶體的位錯(cuò)。