[發(fā)明專利]一種發(fā)光二極管及其制造方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202011633971.1
• 申請(qǐng)日: 2020-12-31
• 公開（公告）號(hào): CN112670386B
• 公開（公告）日: 2022-09-20
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 蔣振宇;閆春輝
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 深圳第三代半導(dǎo)體研究院
• 主分類號(hào): H01L33/38
• 分類號(hào): H01L33/38;H01L33/00
• 代理公司: 深圳市威世博知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 44280
• 代理人: 黎堅(jiān)怡

1.一種發(fā)光二極管，其特征在于，所述發(fā)光二極管包括：

襯底；

第一電極，所述第一電極位于所述襯底的一側(cè)；

發(fā)光外延層，包括依次層疊設(shè)置于所述襯底的一側(cè)主表面的第一半導(dǎo)體層、有源發(fā)光層以及第二半導(dǎo)體層，所述第一電極局部覆蓋所述第二半導(dǎo)體層；

多個(gè)電極圖案，所述多個(gè)電極圖案埋設(shè)于所述第二半導(dǎo)體層中，并相互連接且呈網(wǎng)格狀分布，越接近第一電極，多個(gè)電極圖案沿襯底的主表面的平行方向的橫截面積越小和/或多個(gè)電極圖案之間的間距越大。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管，其特征在于，所述第一半導(dǎo)體層或所述第二半導(dǎo)體層包括第一子層和第二子層，所述多個(gè)電極圖案設(shè)置于所述第一子層背離所述襯底的一側(cè)，所述第二子層位于多個(gè)所述電極圖案背離所述第一子層的一側(cè)，所述第二子層覆蓋多個(gè)所述電極圖案并填充于多個(gè)所述電極圖案之間的間隙。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管，其特征在于，多個(gè)所述電極圖案的耐受溫度大于所述第一半導(dǎo)體層或所述第二半導(dǎo)體層的制程溫度。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的發(fā)光二極管，其特征在于，所述電極圖案的材料為石墨烯、ZrN或HfN中的至少一種。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管，其特征在于，

多個(gè)所述電極圖案的厚度為0.005-2微米。

6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的發(fā)光二極管，其特征在于，

所述第一子層與所述第二子層為一體結(jié)構(gòu)。

7.一種發(fā)光二極管的制造方法，其特征在于，所述方法包括：

提供一襯底；

在所述襯底上形成多個(gè)電極圖案；

在所述多個(gè)電極圖案上形成半導(dǎo)體層，以使得所述多個(gè)電極圖案埋設(shè)于所述半導(dǎo)體層內(nèi)；

在所述襯底上第一電極，所述第一電極局部覆蓋所述半導(dǎo)體層，越接近第一電極，多個(gè)電極圖案沿襯底的主表面的平行方向的橫截面積越小和/或多個(gè)電極圖案之間的間距越大。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其特征在于，所述半導(dǎo)體層包括第一子層和第二子層；

所述在所述襯底上形成多個(gè)電極圖案的步驟之前，進(jìn)一步包括在所述襯底上形成所述第一子層，進(jìn)而使得多個(gè)所述電極圖案形成于所述第一子層背離所述襯底的一側(cè)；

所述在所述多個(gè)電極圖案上形成所述半導(dǎo)體層的步驟包括：

在多個(gè)所述電極圖案背離所述第一子層的一側(cè)形成所述第二子層，所述第二子層覆蓋多個(gè)所述電極圖案并填充于多個(gè)所述電極圖案之間的間隙。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其特征在于，

所述在所述襯底上形成多個(gè)電極圖案的步驟之前，所述方法還包括：在所述襯底的一側(cè)主表面上依次生長(zhǎng)第一半導(dǎo)體層以及有源發(fā)光層，其中，所述第一子層形成于所述有源發(fā)光層背離所述第一半導(dǎo)體層的一側(cè)。

10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其特征在于，所述第一子層和所述第二子層的生長(zhǎng)方法為化學(xué)氣相沉積法或分子束外延法，多個(gè)所述電極圖案的材料為石墨烯、ZrN或HfN中的至少一種。