[發明專利]雙面X射線探測器及成像方法在審
| 申請號： | 202011633864.9 | 申請日： | 2020-12-31 |
| 公開（公告）號： | CN112834530A | 公開（公告）日： | 2021-05-25 |
| 發明（設計）人： | 程里朋;林言成;高鵬飛 | 申請（專利權）人： | 上海奕瑞光電子科技股份有限公司 |
| 主分類號： | G01N23/00 | 分類號： | G01N23/00 |
| 代理公司： | 上海光華專利事務所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 余明偉 |
| 地址： | 201201 上海市浦*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 雙面 射線 探測器 成像 方法 | ||
1.一種雙面X射線探測器，其特征在于，所述雙面X射線探測器包括：
過濾層，所述過濾層包括相對的過濾層第一表面及過濾層第二表面；
第一閃爍體層及第一傳感器層，所述第一閃爍體層及第一傳感器層堆疊設置于所述過濾層第一表面上；
第二閃爍體層及第二傳感器層，所述第二閃爍體層及第二傳感器層堆疊設置于所述過濾層第二表面上。
2.根據權利要求1所述的雙面X射線探測器，其特征在于：所述第一閃爍體層或所述第一傳感器層采用拆卸式方式設置于所述過濾層第一表面上；所述第二閃爍體層或所述第二傳感器層采用拆卸式方式設置于所述過濾層第二表面上。
3.根據權利要求1所述的雙面X射線探測器，其特征在于：所述第一閃爍體層包括CsI層、GOS層及鈣鈦礦層中的一種或組合；所述第二閃爍體層包括CsI層、GOS層及鈣鈦礦層中的一種或組合。
4.根據權利要求1所述的雙面X射線探測器，其特征在于：所述第一閃爍體層與所述過濾層第一表面相接觸，且所述第二閃爍體層與所述過濾層第二表面相接觸。
5.根據權利要求1所述的雙面X射線探測器，其特征在于：所述第一傳感器層與所述過濾層第一表面相接觸，且所述第二傳感器層與所述過濾層第二表面相接觸。
6.根據權利要求1所述的雙面X射線探測器，其特征在于：所述過濾層包括金屬層、碳纖維層、PVC層、PET層及PE層中的一種或組合。
7.根據權利要求1所述的雙面X射線探測器，其特征在于：所述雙面X射線探測器包括外圍電路，且所述外圍電路位于由所述第一閃爍體層、第一傳感器層、過濾層、第二閃爍體層及第二傳感器層所構成的雙面傳感模組的外圍。
8.根據權利要求1所述的雙面X射線探測器，其特征在于：所述第一傳感器層包括TFT及PD；所述第二傳感器層包括TFT及PD；所述TFT包括頂柵結構或底柵結構，且所述TFT包括非晶硅TFT、非晶氧化物TFT及有機TFT中的一種或組合。
9.根據權利要求1所述的雙面X射線探測器，其特征在于：所述雙面X射線探測器包括柔性雙面X射線探測器。
10.一種雙面X射線探測器的成像方法，其特征在于，包括以下步驟：
提供權利要求1～9中任一所述雙面X射線探測器；
當所述第一傳感器層與所述過濾層第一表面相接觸時，且所述第二傳感器層與所述過濾層第二表面相接觸時，所述雙面X射線探測器的成像方法包括：
單側單源單能模式：于所述雙面X射線探測器的單側提供單一X射線，所述第一閃爍體層與所述第一傳感器層以及所述第二閃爍體層與所述第二傳感器層分別以正照式或背照式成像；
雙側單源單能模式：于所述雙面X射線探測器的相對兩側分別提供第一X射線及第二X射線，所述第一閃爍體層與所述第一傳感器層以及所述第二閃爍體層與所述第二傳感器層同時工作，以對不同測試對象同時成像；
當所述第一閃爍體層與所述過濾層第一表面相接觸時，且所述第二閃爍體層與所述過濾層第二表面相接觸時，所述雙面X射線探測器的成像方法包括：
雙側單源雙能模式：于所述雙面X射線探測器的單側提供單一X射線，所述第一閃爍體層與所述第一傳感器層以及所述第二閃爍體層與所述第二傳感器層同時工作，以對同一測試對象同時成像。
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