[發明專利]半導體裝置結構

在審

• 申請號: 202011633590.3
• 申請日: 2020-12-31
• 公開（公告）號: CN113130426A
• 公開（公告）日: 2021-07-16
• 發明（設計）人: 盧超群;黃立平
• 申請（專利權）人: 鈺創科技股份有限公司
• 主分類號: H01L23/48
• 分類號: H01L23/48;H01L23/528;H01L27/088;H01L27/092;H01L27/108
• 代理公司: 深圳新創友知識產權代理有限公司 44223
• 代理人: 江耀純

1.一種半導體裝置結構，其特征在于包含∶

一硅基底，具有一硅表面；

一晶體管，包含一柵極結構、一第一導通區、一第二導通區、以及位于所述硅表面之下的一通道；以及

一互連結構，延伸到所述晶體管之外且耦接于所述晶體管的第一導通區；

其中所述互連結構被設置在所述硅表面下方且通過一隔離區與所述硅基底隔離。

2.如權利要求1所述的半導體裝置結構，其特征在于另包含∶

另一晶體管以及一信號線，其中所述信號線電連接至所述另一晶體管，其中所述信號線分布在所述硅表面的下方以及與所述互連結構分開。

3.如權利要求2所述的半導體裝置結構，其特征在于∶在所述硅表面和所述互連結構的上表面之間的一距離不同于在所述硅表面和所述信號線的上表面之間的一距離。

4.如權利要求2所述的半導體裝置結構，其特征在于另包含∶

另一晶體管以及一電源線，其中所述電源線電連接至所述另一晶體管，其中所述電源線分布在所述硅表面的下方以及與所述互連結構分開。

5.如權利要求4所述的半導體裝置結構，其特征在于∶所述電源線耦接于一電壓源或一接地源。

6.一種半導體裝置結構，其特征在于包含∶

一硅基底，具有一硅表面；

一晶體管，包含一柵極結構、一第一導通區、一第二導通區、以及位于所述硅表面之下的一通道；以及

一互連結構，延伸到所述晶體管之外以及耦接于所述晶體管的柵極結構；

其中所述互連結構包含在所述硅表面之上的一上部分，且所述互連結構的上部分的側壁對齊所述柵極結構的側壁。

7.如權利要求6所述的半導體裝置結構，其特征在于另包含∶

一第一間隔層，覆蓋所述柵極結構的第一側壁且位于所述硅表面上方；以及

一第二間隔層，覆蓋所述柵極結構的第二側壁且位于所述硅表面上方。

8.如權利要求7所述的半導體裝置結構，其特征在于∶所述第一間隔層鄰接所述互連結構的上部分的側壁。

9.如權利要求7所述的半導體裝置結構，其特征在于另包含∶

一介電層，設置在所述第一間隔層，所述第二間隔層和所述柵極結構下方。

10.如權利要求9所述的半導體裝置結構，其特征在于∶所述柵極結構的至少一部分從所述硅表面向下延伸，且所述通道的至少一部分位于所述介電層的底部下方且沿著所述介電層的底部延伸。

11.一種半導體裝置結構，其特征在于包含∶

一硅基底，具有一硅表面；

一晶體管，包含一柵極結構、一第一導通區、一第二導通區、以及位于所述硅表面之下的一通道；以及

一互連結構，延伸到所述晶體管之外且通過一橋接觸電連接至所述晶體管的第一導通區；

其中所述橋接觸的一第一側壁對齊所述第一導通區的一邊緣且所述橋接觸的一第二側壁對齊所述互連結構的一邊緣。

12.如權利要求11所述的半導體裝置結構，其特征在于∶所述橋接觸包含一上部分以及一下部分，其中所述橋接觸的上部分鄰接所述硅基底且所述橋接觸的下部分與所述硅基底分隔開來。

13.如權利要求12所述的半導體裝置結構，其特征在于另包含∶

一第一隔離層，至少覆蓋所述第一側壁，所述第二側壁，以及所述橋接觸的下部分的底部。

14.如權利要求13所述的半導體裝置結構，其特征在于∶所述第一隔離層另覆蓋所述橋接觸的下部分的一第三側壁，且一第二隔離層另覆蓋所述橋接觸的下部分的一第四側壁，其中所述下部分的第三側壁平行于所述下部分的第四側壁，且所述第二隔離層的寬度不同于所述第一隔離層的寬度。