[發明專利]集成電路芯片以及用于形成集成電路芯片的方法

在審

• 申請號: 202011633256.8
• 申請日: 2020-12-31
• 公開（公告）號: CN113314459A
• 公開（公告）日: 2021-08-27
• 發明（設計）人: 王云翔;蔡俊琳;余俊磊;陳柏智
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L21/768
• 分類號: H01L21/768;H01L23/528
• 代理公司: 北京德恒律治知識產權代理有限公司 11409
• 代理人: 章社杲;李偉

1.一種集成電路芯片，包括：

襯底；

半導體層，位于所述襯底上；

前段制程層，位于所述半導體層上；

貫通孔，在所述集成電路芯片的外圍處延伸貫穿所述前段制程層和所述半導體層至所述襯底；以及

引線和通孔的交替堆疊件，位于所述貫通孔上方。

2.根據權利要求1所述的集成電路芯片，還包括：

位于所述前段制程層上且位于所述交替堆疊件下的層間介電層，其中，所述層間介電層具有延伸穿過所述半導體層至所述襯底并且部分地限定所述貫通孔的部分。

3.根據權利要求1所述的集成電路芯片，其中，所述貫通孔是電介質。

4.根據權利要求1所述的集成電路芯片，還包括：

半導體器件，位于所述半導體層上，其中，所述貫通孔沿所述集成電路芯片的外圍在閉合路徑中延伸以圍繞所述半導體器件。

5.根據權利要求1所述的集成電路芯片，其中，所述交替堆疊件限定導電密封結構，所述導電密封結構沿所述集成電路芯片的外圍在閉合路徑中延伸，并且其中，所述貫通孔位于所述集成電路芯片的最外側壁與所述導電密封結構之間。

6.根據權利要求1所述的集成電路芯片，還包括：

層間介電層，位于所述前段制程層和所述貫通孔上并且還位于所述交替堆疊件下，其中，所述層間介電層獨立于所述貫通孔。

7.根據權利要求1所述的集成電路芯片，其中，所述貫通孔是導電的。

8.根據權利要求1所述的集成電路芯片，其中，所述貫通孔的頂部布局是線形的并且在所述集成電路芯片的外圍處位于所述集成電路芯片的單側。

9.一種集成電路芯片，包括：

襯底；

半導體層，位于所述襯底上；

半導體器件，位于所述半導體層上；

互連結構，位于所述半導體器件上；

接觸件，從所述互連結構延伸至所述半導體器件；以及

貫通孔，延伸穿過所述半導體層至所述襯底，并且具有與所述接觸件的頂面大約平齊或相對于所述接觸件的頂面凹陷的頂面。

10.一種用于形成集成電路芯片的方法，所述方法包括：

在襯底上方沉積半導體層；

在所述半導體層上形成半導體器件；

在所述半導體器件上方形成前段制程層；

圖案化所述前段制程層和所述半導體層以在所述集成電路芯片的外圍處形成延伸穿過所述前段制程層和所述半導體層至所述襯底的溝槽；

用電介質和/或導電材料填充所述溝槽以形成貫通孔；以及

在所述貫通孔和所述前段制程層上方形成金屬間介電層，同時在所述金屬間介電層中形成引線和通孔的交替堆疊件。