[發(fā)明專利]非易失性存儲器的壞塊修復(fù)方法、裝置、存儲介質(zhì)和終端

在審

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• 申請日: 2020-12-31
• 公開（公告）號: CN112542203A
• 公開（公告）日: 2021-03-23
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 王文靜
• 申請（專利權(quán)）人: 深圳市芯天下技術(shù)有限公司
• 主分類號: G11C29/44
• 分類號: G11C29/44;G11C29/00
• 代理公司: 佛山市海融科創(chuàng)知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 44377
• 代理人: 陳志超;唐敏珊

本發(fā)明公開了一種非易失性存儲器的壞塊修復(fù)方法、裝置、存儲介質(zhì)和終端，當(dāng)Nor Flash開始擦除操作后，先驗證待擦除的模塊是否需要進(jìn)行擦除，若驗證不通過，則計數(shù)執(zhí)行第一次擦除操作；當(dāng)執(zhí)行完擦除操作后，再次驗證該模塊是否擦除完成，若驗證不通過，則再次計數(shù)執(zhí)行第二次擦除操作；本方案通過持續(xù)累計執(zhí)行擦除操作次數(shù)，當(dāng)次數(shù)超過設(shè)定值后，系統(tǒng)將自動判斷本次擦除操作失敗，并將該塊模塊標(biāo)記為壞塊；同時，記錄壞塊地址，并用可替換塊模塊替換掉該壞塊；結(jié)束本次擦除操作；當(dāng)后續(xù)讀寫擦操作再次對該壞塊地址進(jìn)行操作時，芯片會自動摒棄該壞塊，直接對替換的模塊進(jìn)行操作；通過本方案自動修復(fù)芯片產(chǎn)生的擦除問題，從而延長芯片壽命。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及非易失性存儲器技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及的是一種非易失性存儲器的壞塊修復(fù)方法、裝置、存儲介質(zhì)和終端。

背景技術(shù)

Nor Flash作為一種非易失性存儲器，其在量產(chǎn)后會經(jīng)過多種片上測試，在封裝后會經(jīng)過多道芯片測試來保證其正常的使用。而那些未能通過測試的芯片會被篩選掉，只有通過全部測試流程（如圖1所示）的芯片才會進(jìn)入到市場進(jìn)行售賣。

但是，這些測試流程并不能百分百保證每個芯片在后續(xù)的使用過程中不再發(fā)生芯片讀寫擦的錯誤。倘若在交付給客戶使用后，芯片產(chǎn)生擦寫錯誤，那么就會影響到客戶對芯片的正常使用，從而導(dǎo)致產(chǎn)品的直接報廢。如，通常情況下當(dāng)芯片在擦除過程中遇到問題，其擦除時間會變得特別長（芯片做完擦除操作后驗證不通過，又再次執(zhí)行擦除操作），直到最后芯片因長時間無法退出擦除操作，而導(dǎo)致直接損毀，如圖2所示。

因此，現(xiàn)有的技術(shù)還有待于改進(jìn)和發(fā)展。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的目的在于提供一種非易失性存儲器的壞塊修復(fù)方法、裝置、存儲介質(zhì)和終端，旨在解決現(xiàn)有nor flash芯片在通過測試交付給客戶使用后產(chǎn)生擦除錯誤而無法修復(fù)導(dǎo)致產(chǎn)品報廢的問題。

本發(fā)明的技術(shù)方案如下：一種非易失性存儲器的壞塊修復(fù)方法，其中，具體包括以下步驟：

S01：實時判斷Nor Flash是否進(jìn)入擦操作狀態(tài)，是則跳轉(zhuǎn)至S02，否則不改變當(dāng)前狀態(tài)；

S02：實時判斷是否接收到Nor Flash擦除驗證不通過信息，是則跳轉(zhuǎn)至S03，否則跳轉(zhuǎn)至S06；

S03：判斷Nor Flash當(dāng)前擦除操作中循環(huán)擦除次數(shù)是否已經(jīng)達(dá)到預(yù)設(shè)值，是則跳轉(zhuǎn)至S04，否則跳轉(zhuǎn)至S05；

S04：將可替換塊模塊替換Nor Flash當(dāng)前進(jìn)行擦除操作的塊模塊，結(jié)束擦除操作；

S05：執(zhí)行擦除操作并跳轉(zhuǎn)至S02；

S06：完成擦除操作。

所述的非易失性存儲器的壞塊修復(fù)方法，其中，所述S05包括以下過程：判斷得出Nor Flash擦除發(fā)生錯誤，同時記錄當(dāng)前發(fā)生錯誤的塊模塊地址，將當(dāng)前發(fā)生錯誤的塊模塊地址替換成可替換塊模塊的地址。

所述的非易失性存儲器的壞塊修復(fù)方法，其中，所述可替換塊模塊的存儲容量與Nor Flash中其他塊模塊的存儲容量相同。

所述的非易失性存儲器的壞塊修復(fù)方法，其中，所述可替換塊模塊為與原芯片中的被替換的塊模塊的結(jié)構(gòu)相同，即該可替換塊模塊擁有與其他塊模塊相同數(shù)量的字線與相同數(shù)量的位線，且該可替換塊模塊與芯片中其他塊模塊一起共用相同的字線。

所述的非易失性存儲器的壞塊修復(fù)方法，其中，所述可替換塊模塊中的所有存儲單元的初始值全部為擦除狀態(tài)。

一種非易失性存儲器的壞塊修復(fù)裝置，其中，包括：

擦操作狀態(tài)判斷模塊，實時判斷Nor Flash是否進(jìn)入擦操作狀態(tài)；

擦除驗證信息判斷模塊，實時判斷是否接收到Nor Flash擦除驗證不通過信息；

循環(huán)擦除次數(shù)判斷模塊，判斷Nor Flash當(dāng)前擦除操作中循環(huán)擦除次數(shù)是否已經(jīng)達(dá)到預(yù)設(shè)值；