[發明專利]一種金屬圖案的制造方法以及半導體器件在審
| 申請號： | 202011632829.5 | 申請日： | 2020-12-31 |
| 公開（公告）號： | CN112786754A | 公開（公告）日： | 2021-05-11 |
| 發明（設計）人： | 朱酉良;顏改革;蔣振宇;閆春輝 | 申請（專利權）人： | 深圳第三代半導體研究院 |
| 主分類號： | H01L33/36 | 分類號： | H01L33/36;H01L33/40;H01L33/46 |
| 代理公司： | 深圳市威世博知識產權代理事務所(普通合伙) 44280 | 代理人： | 李慶波 |
| 地址： | 518000 廣東省深圳市龍*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 金屬 圖案 制造 方法 以及 半導體器件 | ||
1.一種金屬圖案的制造方法，其特征在于，所述方法包括：
在襯底上形成犧牲層；
在所述犧牲層上形成光刻膠層，并進行圖案化處理，以形成外露部分所述犧牲層的光刻膠圖案；
以所述光刻膠圖案為掩膜對外露的所述犧牲層進行蝕刻，以形成外露部分所述襯底的犧牲層圖案；
以所述光刻膠圖案和所述犧牲層圖案為掩膜在所述光刻膠圖案和外露的所述襯底上沉積金屬層；
去除所述光刻膠圖案以及所述光刻膠圖案上的所述金屬層，并保留沉積于所述襯底上的所述金屬層。
2.根據權利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述犧牲層的材料為能夠被含氟類化學試劑蝕刻的材料。
3.根據權利要求2所述的制造方法，其特征在于，所述犧牲層的材料為氧化硅、氮化硅或氮氧化硅。
4.根據權利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述犧牲層的厚度大于或等于所述金屬層的厚度。
5.根據權利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述以所述光刻膠圖案為掩膜對外露的所述犧牲層進行蝕刻的步驟包括：
以濕蝕刻方式對所述犧牲層進行蝕刻，以使得所述犧牲層圖案在所述襯底上的投影位于所述光刻膠圖案在所述襯底上的投影的內部，以形成底切結構。
6.根據權利要求5所述的制造方法，其特征在于，所述犧牲層圖案的投影的邊緣相較于所述光刻膠圖案的投影的邊緣之間的徑向距離為0.2μm-10μm。
7.根據權利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述去除所述光刻膠圖案以及所述光刻膠圖案上的所述金屬層的步驟之前，所述方法進一步包括：
在所述金屬層上形成保護膜。
8.根據權利要求7所述的制造方法，其特征在于，所述去除所述光刻膠圖案以及所述光刻膠圖案上的所述金屬層的步驟之前，所述方法進一步包括：
去除所述保護膜。
9.根據權利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述去除所述光刻膠圖案以及所述光刻膠圖案上的所述金屬層，并保留沉積于所述襯底上的所述金屬層的步驟之后，所述方法進一步包括：
去除所述犧牲層圖案。
10.一種半導體器件，其特征在于，所述半導體器件包括如權利要求1-9任意一項所述方法制成的所述金屬圖案。
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