[發(fā)明專利]太赫茲載波發(fā)送裝置、接收裝置

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202011632320.0
• 申請日: 2020-12-31
• 公開（公告）號: CN114696873A
• 公開（公告）日: 2022-07-01
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 張魯奇;李昆;呂瑞;劉余
• 申請（專利權(quán)）人: 華為技術(shù)有限公司
• 主分類號: H04B5/00
• 分類號: H04B5/00;H04B3/04
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種太赫茲載波發(fā)送裝置，其特征在于，包括：饋電傳輸線、模式激勵結(jié)構(gòu)、模式轉(zhuǎn)換結(jié)構(gòu)、太赫茲傳輸線、電路板；其中：

所述饋電傳輸線用于接收射頻發(fā)送電路發(fā)出的電信號，并傳輸?shù)侥Ｊ郊罱Y(jié)構(gòu)中；

所述模式激勵結(jié)構(gòu)用于根據(jù)收到的電信號，激勵起太赫茲信號；

所述模式轉(zhuǎn)換結(jié)構(gòu)中包括一個內(nèi)壁為金屬的內(nèi)腔，所述模式激勵結(jié)構(gòu)和所述太赫茲傳輸線的一端位于內(nèi)腔中，使所述模式激勵結(jié)構(gòu)激勵起的太赫茲信號耦合進(jìn)太赫茲傳輸線；

所述太赫茲傳輸線，用于傳輸所述太赫茲信號；以及

所述電路板用于固定所述饋電傳輸線和所述模式激勵結(jié)構(gòu)，所述模式轉(zhuǎn)換結(jié)構(gòu)還包括定位槽，用于將所述電路板的一部分和所述模式激勵結(jié)構(gòu)插入到所述模式轉(zhuǎn)換結(jié)構(gòu)的內(nèi)腔中，在所述模式激勵結(jié)構(gòu)兩側(cè)分布有多個金屬通孔，所述定位槽的邊界為金屬并壓合在所述模式激勵結(jié)構(gòu)兩側(cè)的金屬通孔上。

2.如權(quán)利要求1所述的太赫茲載波發(fā)送裝置，其特征在于，所述饋電傳輸線、模式激勵結(jié)構(gòu)、金屬通孔位于所述電路板上。

3.如權(quán)利要求1所述的太赫茲載波發(fā)送裝置，其特征在于，所述饋電傳輸線、模式激勵結(jié)構(gòu)、金屬通孔位于射頻發(fā)送芯片的封裝基板上，所述封裝基板上的金屬通孔部分和所述PCB板的相應(yīng)部分被定位槽邊界壓合。

4.如權(quán)利要求1所述的太赫茲載波發(fā)送裝置，其特征在于，所述饋電傳輸線、模式激勵結(jié)構(gòu)、金屬通孔位于射頻發(fā)送芯片上，所述芯片上的金屬通孔部分和所述PCB板的相應(yīng)部分被定位槽邊界壓合。

5.如權(quán)利要求1-4任一項所述的太赫茲載波發(fā)送裝置，其特征在于，所述射頻發(fā)送芯片還包括阻抗匹配結(jié)構(gòu)，用于匹配所述饋電傳輸線與所述模式激勵結(jié)構(gòu)之間阻抗。

6.如權(quán)利要求5所述的太赫茲載波發(fā)送裝置，其特征在于，所述阻抗匹配結(jié)構(gòu)的兩側(cè)分布有多個金屬通孔。

7.如權(quán)利要求5或6所述的太赫茲載波發(fā)送裝置，其特征在于，所述阻抗匹配結(jié)構(gòu)包括均勻基片集成波導(dǎo)和漸變基片集成波導(dǎo)，所述漸變基片集成波導(dǎo)兩側(cè)的金屬通孔之間的距離也相應(yīng)漸變。

8.如權(quán)利要求1-7任一項所述的太赫茲載波發(fā)送裝置，其特征在于，模式轉(zhuǎn)換激勵結(jié)構(gòu)的輻射相位中心與模式轉(zhuǎn)換結(jié)構(gòu)的軸心方向相重合。

9.一種太赫茲載波接收裝置，其特征在于，包括：太赫茲傳輸線、模式轉(zhuǎn)換結(jié)構(gòu)、模式激勵結(jié)構(gòu)、饋電傳輸線、電路板；其中：

所述太赫茲傳輸線，用于接收太赫茲信號；

所述模式轉(zhuǎn)換結(jié)構(gòu)中包括一個內(nèi)壁為金屬的內(nèi)腔，所述模式激勵結(jié)構(gòu)和所述太赫茲傳輸線的一端位于內(nèi)腔中，使所述太赫茲傳輸線中的太赫茲信號耦合進(jìn)模式激勵結(jié)構(gòu)中；

所述模式激勵結(jié)構(gòu)用于將太赫茲信號轉(zhuǎn)為電信號到饋電傳輸線；

所述饋電傳輸線用于將電信號傳輸?shù)缴漕l接收電路中；以及

所述電路板用于固定所述饋電傳輸線和所述模式激勵結(jié)構(gòu)，所述模式轉(zhuǎn)換結(jié)構(gòu)還包括定位槽，用于將所述電路板的一部分和所述模式激勵結(jié)構(gòu)插入到所述模式轉(zhuǎn)換結(jié)構(gòu)的內(nèi)腔中，在所述模式激勵結(jié)構(gòu)兩側(cè)分布有多個金屬通孔，所述定位槽的邊界為金屬并壓合在所述模式激勵結(jié)構(gòu)兩側(cè)的金屬通孔上。

10.如權(quán)利要求9所述的太赫茲載波接收裝置，其特征在于，所述饋電傳輸線、模式激勵結(jié)構(gòu)、金屬通孔位于所述電路板上。

11.如權(quán)利要求9所述的太赫茲載波接收裝置，其特征在于，所述饋電傳輸線、模式激勵結(jié)構(gòu)、金屬通孔位于射頻接收芯片的封裝基板上，所述封裝基板上的金屬通孔部分和所述PCB板的相應(yīng)部分被定位槽邊界壓合。

12.如權(quán)利要求9所述的太赫茲載波接收裝置，其特征在于，所述饋電傳輸線、模式激勵結(jié)構(gòu)、金屬通孔位于射頻接收芯片上，所述芯片上的金屬通孔部分和所述PCB板的相應(yīng)部分被定位槽邊界壓合。