[發明專利]一種基于LET伴隨監測的單粒子風險群探測方法

在審

• 申請號: 202011631371.1
• 申請日: 2020-12-30
• 公開（公告）號: CN112660429A
• 公開（公告）日: 2021-04-16
• 發明（設計）人: 全林;李泠;沈國紅;王東亞;荊濤;冷佳醒;王鯤鵬;吳文堂;段美亞;趙蓓蕾
• 申請（專利權）人: 中國人民解放軍63921部隊
• 主分類號: B64G1/66
• 分類號: B64G1/66
• 代理公司: 北京理工大學專利中心 11120
• 代理人: 代麗

1.一種基于LET伴隨監測的單粒子風險群探測方法，其特征在于，包括如下步驟：

步驟1，將航天器搭載的各器件根據其單粒子防護能力進行防護級別劃分；

步驟2，統計航天器因單粒子效應引發異常或故障時，每個防護級別器件的單粒子效應類別和發生概率；

步驟3，獲取航天器因單粒子效應引發異常或故障時的空間粒子輻射環境數據；

步驟4，根據步驟2和步驟3的數據，獲得每個防護級別器件的單粒子效應類別、發生概率與空間粒子輻射環境之間的對應關系，進而獲得該防護級別器件發生單粒子效應時的空間粒子輻射門限值；

步驟5，監測空間粒子輻射環境數據，若其達到某防護級別器件所對應的門限值時，進行預警。

2.如權利要求1所述的基于LET伴隨監測的單粒子風險群探測方法，其特征在于，將器件的單粒子防護級別劃分為3類：產品價格低、單粒子防護能力弱的工業級器件的單粒子防護級別為級別1；具有物理冗余的器件的單粒子防護級別為級別2；產品價格高的航天專用級器件的單粒子防護級別為級別3。

3.如權利要求1所述的基于LET伴隨監測的單粒子風險群探測方法，其特征在于，空間粒子輻射環境數據包括空間環境中電子、質子和重離子的輻射劑量；分別獲取某防護級別器件的單粒子效應類別、發生概率與空間環境中電子、質子和重離子輻射劑量的對應關系，得到對應的門限值。

4.如權利要求1或3所述的基于LET伴隨監測的單粒子風險群探測方法，其特征在于，采用LET探測獲得空間粒子輻射環境數據。

5.如權利要求1所述的基于LET伴隨監測的單粒子風險群探測方法，其特征在于，所述器件包括存儲器件、使用CMOS工藝制造的器件、MOSFET器件、模擬器件、射頻器件、電源器件、處理器、FPGA、EEPROM、FLASH和VCO。