[發明專利]一種單晶圓清洗系統

有效

• 申請號: 202011630249.2
• 申請日: 2020-12-30
• 公開（公告）號: CN112736018B
• 公開（公告）日: 2023-03-14
• 發明（設計）人: 鄧信甫;國天增;劉大威;陳丁堃
• 申請（專利權）人: 上海至純潔凈系統科技股份有限公司;至微半導體（上海）有限公司
• 主分類號: H01L21/687
• 分類號: H01L21/687;H01L21/67;B08B3/02;B08B13/00
• 代理公司: 上海申新律師事務所 31272
• 代理人: 黨蕾

本發明公開了一種單晶圓清洗系統，屬于半導體技術領域，包括清洗裝置、多個供酸系統和集成系統，清洗裝置包括晶圓承載平臺、第一旋轉機構、第一升降機構、噴射模組、多個回收環、驅動控制機構；控制機構根據清洗指令控制第一旋轉機構帶動晶圓承載平臺旋轉，以及控制第一升降機構帶動晶圓承載平臺升降至與相應的防濺板持平；集成系統根據供應指令輸出一控制指令至相應的供酸系統，并將各供酸系統提供的清洗液進行處理后輸出至清洗裝置。本技術方案的有益效果在于：將一個腔體內所需的化學品集成在一起；對晶圓進行清洗時，根據不同的清洗液選擇對應的腔室，有效避免交叉污染。

技術領域

本發明涉及半導體技術領域，尤其涉及一種單晶圓清洗系統。

背景技術

在晶圓制造過程中，尤其是高階晶圓產品(例如邏輯集成電路、存儲、功率器件等相關的晶圓產品)，需要通過繁復的各種光刻，濕法，沉積，氧化等相關的工藝進行處理，每一段點的接續工藝都需要通過濕法工藝進行處理，以確保后續的工藝良率的正確性與再現性。然而為了有效地清除單晶圓表面結構的殘余物、微塵、臟污需要對單晶圓表面進行清洗。目前，通過采用半導體清洗設備對單晶圓進行清洗，在清洗單晶圓時，將單晶圓置于半導體清洗設備的腔體中，快速旋轉單晶圓并通過氣體噴流的方式清洗單晶圓上下兩面。

目前，對晶圓進行加工所使用的化學品(例如如酸、堿、有機溶液等構成的清洗液)在處理晶圓后并不會被完全消耗干凈，往往存在一定量的殘余化學品，粘滯在加工晶圓的裝置內壁，或者揮發為氣體充斥在裝置的內部空間，難以去除。清洗單晶圓時容易造成交叉污染，導致晶圓產品質量嚴重下降，造成后續的工藝良率降低，因此針對以上問題，迫切需要設計出一種集成有不同類型的化學品于一個腔體內進行分段清洗的單晶圓清洗系統，以滿足實際使用的需要。

發明內容

本發明的目的在于，提供一種單晶圓清洗系統。

本發明所解決的技術問題可以采用以下技術方案來實現：

本發明提供一種單晶圓清洗系統，包括：

供酸系統，每一所述供酸系統內存儲有同一種清洗液，不同的所述供酸系統內存儲的清洗液不同，所述供酸系統用于提供所述清洗液；

多個集成系統，每一所述集成系統分別連接多個所述供酸系統，所述集成系統用于接收一供應指令，并根據所述供應指令輸出一控制指令至相應的所述供酸系統，并將各所述供酸系統提供的所述清洗液進行處理；

多個清洗裝置，連接所述集成系統，每一所述清洗裝置對應于一個所述集成系統，每一所述清洗裝置分別包括：

一晶圓承載平臺，設置于所述清洗裝置的腔體中，用于放置晶圓；

一第一旋轉機構，設置于所述晶圓承載平臺內，用于驅動所述晶圓承載平臺旋轉運動；

一第一升降機構，所述第一升降機構的升降端連接所述晶圓承載平臺，所述第一升降機構用于帶動所述晶圓承載平臺做升降運動；

噴射模組，所述噴射模組的清洗端朝向所述晶圓承載平臺，用于向所述晶圓噴射清洗液；

多個回收環，每個所述回收環的上方傾斜一預設角度設置有對應的防濺板，相鄰的兩個所述防濺板之間形成一腔室，每個所述防濺板上分別設有陣列排布的噴嘴模組；

一驅動控制機構，分別連接所述第一旋轉機構、所述第一升降機構、所述噴射模組和所述集成系統，所述驅動控制機構用于接收一清洗指令，根據所述清洗指令向所述集成系統發送所述供應指令，并根據所述清洗指令控制所述第一旋轉機構帶動所述晶圓承載平臺旋轉，以及控制所述第一升降機構帶動所述晶圓承載平臺升降至與相應的所述防濺板持平，隨后控制所述噴射模組根據所述集成系統供應的所述清洗液向所述晶圓噴射。

優選地，所述噴射模組包括多個噴射組件，每個所述噴射組件用于接收所述集成系統提供的不同類型的所述清洗液，并向所述晶圓噴射；