[發明專利]再生硅護理芯片及衛生護理產品

有效

• 申請號: 202011630152.1
• 申請日: 2020-12-31
• 公開（公告）號: CN112843321B
• 公開（公告）日: 2022-06-10
• 發明（設計）人: 王曉朋;胡方
• 申請（專利權）人: 北京幸福益生再生醫學科技有限公司
• 主分類號: A61L15/18
• 分類號: A61L15/18;A61L15/46;A61L15/44;A61L15/40;A61L15/20
• 代理公司: 北京五洲洋和知識產權代理事務所(普通合伙) 11387
• 代理人: 榮紅穎;李璐

1.一種用于制備再生硅護理芯片的混合液，其特征在于，所述混合液是組合物與水混合后形成的，按照質量份數計，所述組合物包括以下原料：再生硅0.05-20份、納米銀粉1-10份、遠紅外納米粉3-20份、中草藥組合物8-20份、薄荷醇0.5-10份；所述組合物與水的質量比為1：（0.5-10）；所述再生硅是指硅酸化合物和磷硅酸化合物中的一種或兩種組合；所述中草藥組合物選自益母草、芍藥、當歸、苦參、紫草、金銀花、黃芪、艾葉和蛇床子中的一種或幾種組合。

2.如權利要求1所述的用于制備再生硅護理芯片的混合液，其特征在于，所述中草藥組合物包括益母草和紫草，所述益母草和紫草的質量比為（0.1-15）：（0.1-15）。

3.如權利要求1所述的用于制備再生硅護理芯片的混合液，其特征在于，所述再生硅中包括鈣離子。

4.如權利要求1所述的用于制備再生硅護理芯片的混合液，其特征在于，所述再生硅還包括鈉、銀、銅、鐵、鎂、鉀、銦、錫、鈦、鍶和鍺中的一種或幾種組合。

5.如權利要求1所述的用于制備再生硅護理芯片的混合液，其特征在于，按質量百分比，所述再生硅包括：SiO₂:25-70%、CaO:18-30%、Na₂O:0-30%、P₂O₅:3-15%。

6.如權利要求1所述的用于制備再生硅護理芯片的混合液，其特征在于，所述再生硅為粉末顆粒狀，比表面積為10-2000m²/g。

7.一種如權利要求1-6任一項所述的再生硅護理芯片混合液的制備方法，其特征在于，所述制備方法包括如下步驟：

（1）按照權利要求1或2所述的組合物配方分別稱取原料并混合然后經研磨粉碎得到納米粉末；

（2）將水與所述納米粉末混合均勻，得到再生硅護理芯片混合液。

8.一種再生硅護理芯片，其特征在于，所述再生硅護理芯片包括無紡布以及附著于所述無紡布中的權利要求1-6任一項所述的混合液。

9.一種再生硅護理芯片的制備方法，其特征在于，所述制備方法包括：將無紡布浸泡在權利要求1-6任一項所述的再生硅護理芯片的混合液中，然后將所述無紡布取出并干燥后得到再生硅護理芯片；或者所述制備方法包括：將權利要求1-6任一項所述的再生硅護理芯片的混合液噴涂在無紡布表面，然后將無紡布干燥后得到再生硅護理芯片。

10.如權利要求9所述的制備方法，其特征在于，噴涂后所述混合液的重量為所述無紡布重量的10-30%。

11.如權利要求9所述的制備方法，其特征在于，所述無紡布包括植物纖維水刺無紡布或竹纖維無紡布。

12.如權利要求9所述的制備方法，其特征在于，所述干燥包括真空冷凍干燥或常溫干燥。

13.一種衛生護理產品，其特征在于，包含權利要求8所述的再生硅護理芯片或者采用權利要求9所述方法制備的再生硅護理芯片。

14.根據權利要求13所述的衛生護理產品，其特征在于，所述衛生護理產品為衛生巾或紙尿褲。

15.根據權利要求14所述的衛生護理產品，其特征在于，所述衛生護理產品還包括外保護層、棉表層、鎖水層和竹炭纖維層，其中：

所述外保護層和所述棉表層之間設置有鎖水層，所述鎖水層和所述外保護層之間設置有竹炭纖維層，所述棉表層和所述鎖水層之間設置有權利要求8所述的再生硅護理芯片或者采用權利要求9所述方法制備的再生硅護理芯片。