[發(fā)明專利]再生硅護(hù)理芯片及衛(wèi)生護(hù)理產(chǎn)品

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202011630152.1
• 申請(qǐng)日: 2020-12-31
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN112843321B
• 公開(kāi)（公告）日: 2022-06-10
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 王曉朋;胡方
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 北京幸福益生再生醫(yī)學(xué)科技有限公司
• 主分類號(hào): A61L15/18
• 分類號(hào): A61L15/18;A61L15/46;A61L15/44;A61L15/40;A61L15/20
• 代理公司: 北京五洲洋和知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11387
• 代理人: 榮紅穎;李璐

1.一種用于制備再生硅護(hù)理芯片的混合液，其特征在于，所述混合液是組合物與水混合后形成的，按照質(zhì)量份數(shù)計(jì)，所述組合物包括以下原料：再生硅0.05-20份、納米銀粉1-10份、遠(yuǎn)紅外納米粉3-20份、中草藥組合物8-20份、薄荷醇0.5-10份；所述組合物與水的質(zhì)量比為1：（0.5-10）；所述再生硅是指硅酸化合物和磷硅酸化合物中的一種或兩種組合；所述中草藥組合物選自益母草、芍藥、當(dāng)歸、苦參、紫草、金銀花、黃芪、艾葉和蛇床子中的一種或幾種組合。

2.如權(quán)利要求1所述的用于制備再生硅護(hù)理芯片的混合液，其特征在于，所述中草藥組合物包括益母草和紫草，所述益母草和紫草的質(zhì)量比為（0.1-15）：（0.1-15）。

3.如權(quán)利要求1所述的用于制備再生硅護(hù)理芯片的混合液，其特征在于，所述再生硅中包括鈣離子。

4.如權(quán)利要求1所述的用于制備再生硅護(hù)理芯片的混合液，其特征在于，所述再生硅還包括鈉、銀、銅、鐵、鎂、鉀、銦、錫、鈦、鍶和鍺中的一種或幾種組合。

5.如權(quán)利要求1所述的用于制備再生硅護(hù)理芯片的混合液，其特征在于，按質(zhì)量百分比，所述再生硅包括：SiO₂:25-70%、CaO:18-30%、Na₂O:0-30%、P₂O₅:3-15%。

6.如權(quán)利要求1所述的用于制備再生硅護(hù)理芯片的混合液，其特征在于，所述再生硅為粉末顆粒狀，比表面積為10-2000m²/g。

7.一種如權(quán)利要求1-6任一項(xiàng)所述的再生硅護(hù)理芯片混合液的制備方法，其特征在于，所述制備方法包括如下步驟：

（1）按照權(quán)利要求1或2所述的組合物配方分別稱取原料并混合然后經(jīng)研磨粉碎得到納米粉末；

（2）將水與所述納米粉末混合均勻，得到再生硅護(hù)理芯片混合液。

8.一種再生硅護(hù)理芯片，其特征在于，所述再生硅護(hù)理芯片包括無(wú)紡布以及附著于所述無(wú)紡布中的權(quán)利要求1-6任一項(xiàng)所述的混合液。

9.一種再生硅護(hù)理芯片的制備方法，其特征在于，所述制備方法包括：將無(wú)紡布浸泡在權(quán)利要求1-6任一項(xiàng)所述的再生硅護(hù)理芯片的混合液中，然后將所述無(wú)紡布取出并干燥后得到再生硅護(hù)理芯片；或者所述制備方法包括：將權(quán)利要求1-6任一項(xiàng)所述的再生硅護(hù)理芯片的混合液噴涂在無(wú)紡布表面，然后將無(wú)紡布干燥后得到再生硅護(hù)理芯片。

10.如權(quán)利要求9所述的制備方法，其特征在于，噴涂后所述混合液的重量為所述無(wú)紡布重量的10-30%。

11.如權(quán)利要求9所述的制備方法，其特征在于，所述無(wú)紡布包括植物纖維水刺無(wú)紡布或竹纖維無(wú)紡布。

12.如權(quán)利要求9所述的制備方法，其特征在于，所述干燥包括真空冷凍干燥或常溫干燥。

13.一種衛(wèi)生護(hù)理產(chǎn)品，其特征在于，包含權(quán)利要求8所述的再生硅護(hù)理芯片或者采用權(quán)利要求9所述方法制備的再生硅護(hù)理芯片。

14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的衛(wèi)生護(hù)理產(chǎn)品，其特征在于，所述衛(wèi)生護(hù)理產(chǎn)品為衛(wèi)生巾或紙尿褲。

15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的衛(wèi)生護(hù)理產(chǎn)品，其特征在于，所述衛(wèi)生護(hù)理產(chǎn)品還包括外保護(hù)層、棉表層、鎖水層和竹炭纖維層，其中：

所述外保護(hù)層和所述棉表層之間設(shè)置有鎖水層，所述鎖水層和所述外保護(hù)層之間設(shè)置有竹炭纖維層，所述棉表層和所述鎖水層之間設(shè)置有權(quán)利要求8所述的再生硅護(hù)理芯片或者采用權(quán)利要求9所述方法制備的再生硅護(hù)理芯片。