[發明專利]半導體器件及其制造方法

在審

• 申請號: 202011629038.7
• 申請日: 2020-12-31
• 公開（公告）號: CN113053866A
• 公開（公告）日: 2021-06-29
• 發明（設計）人: 莊博堯;周孟緯;鄭心圃
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L25/16
• 分類號: H01L25/16;H01L23/31;H01L23/58;H01L21/50;H01L21/56
• 代理公司: 北京德恒律治知識產權代理有限公司 11409
• 代理人: 章社杲;李偉

1.一種半導體器件，包括：

再分布襯底；

多個模塊，位于所述再分布襯底的第一側上，所述多個模塊通過所述再分布襯底互連；

導電連接件，位于所述再分布襯底的所述第一側上；和

密封劑，密封所述導電連接件和所述多個模塊，所述密封劑在所述導電連接件的第二側上方延伸，所述第二側面向遠離所述再分布襯底；以及

屏蔽件，延伸穿過所述密封劑以與所述導電連接件物理接觸。

2.根據權利要求1所述的半導體器件，其中，所述導電連接件是導電柱。

3.根據權利要求2所述的半導體器件，其中，所述導電連接件通過晶種層連接至所述再分布襯底。

4.根據權利要求2所述的半導體器件，其中，所述導電連接件通過焊膏連接至所述再分布襯底。

5.根據權利要求1所述的半導體器件，其中，所述多個模塊中的第一個是片上系統模塊。

6.根據權利要求5所述的半導體器件，其中，所述多個模塊中的第二個是集成的無源器件。

7.根據權利要求1所述的半導體器件，其中，所述導電連接件是導電立方體。

8.一種半導體器件，包括：

導電連接件，所述導電連接件具有第一高度；

再分布襯底，與所述導電連接件電連接；

密封劑，位于所述再分布襯底上方，所述密封劑遠離所述再分布襯底延伸大于所述第一高度的第一距離；

第一模塊，嵌入所述密封劑中并且電連接至所述再分布襯底，所述第一模塊具有小于所述第一距離的第二高度；

第二模塊，嵌入所述密封劑中；以及

屏蔽件，延伸穿過所述密封劑以與所述導電連接件物理接觸，并且還沿著所述密封劑的頂面延伸以位于所述第一模塊和所述第二模塊上方。

9.根據權利要求8所述的半導體器件，其中，所述屏蔽件沿著所述密封劑的側壁延伸，所述側壁與所述頂面成直角。

10.一種制造半導體器件的方法，所述方法包括：

將多個模塊放置在襯底上；

在所述襯底上沉積導電連接件；

用密封劑密封所述導電連接件和所述多個模塊；

形成穿過所述密封劑的開口以暴露所述導電連接件的至少部分；以及

在所述密封劑上方和所述開口中沉積屏蔽層，以與所述導電連接件電連接。