[發明專利]一種碳化硅切割液分離方法有效
| 申請號: | 202011628535.5 | 申請日: | 2020-12-31 |
| 公開(公告)號: | CN112755639B | 公開(公告)日: | 2022-08-09 |
| 發明(設計)人: | 汪良;張潔;王旻峰 | 申請(專利權)人: | 湖南三安半導體有限責任公司 |
| 主分類號: | B01D36/00 | 分類號: | B01D36/00;C01B32/956;C01B32/28 |
| 代理公司: | 北京超凡宏宇專利代理事務所(特殊普通合伙) 11463 | 代理人: | 馮潔 |
| 地址: | 410000 湖南省長沙市高新開發*** | 國省代碼: | 湖南;43 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 碳化硅 切割 分離 方法 | ||
1.一種碳化硅切割液分離方法,用于將碳化硅切割液中的碳化硅、金剛石和切割油相分離,其特征在于,所述碳化硅切割液分離方法包括:
混合所述碳化硅切割液和第一溶液,得到第一混合溶液;其中,所述第一溶液的密度大于所述切割油的密度且小于所述碳化硅的密度;
靜置所述第一混合溶液達到第一預設時間,以使所述第一混合溶液分層形成切割油分層和混合分層,所述切割油分層位于所述混合分層上方;
分離所述切割油分層和所述混合分層,以分離所述切割油;
混合所述混合分層和第二溶液,得到第二混合溶液;其中,所述第二溶液的密度大于所述碳化硅的密度且小于所述金剛石的密度;
靜置所述第二混合溶液達到第二預設時間,以使所述第二混合溶液分層形成碳化硅分層和金剛石分層,所述碳化硅分層位于所述金剛石分層上方;
分離所述碳化硅分層和所述金剛石分層,以分離所述碳化硅和所述金剛石。
2.根據權利要求1所述的碳化硅切割液分離方法,其特征在于,所述第一溶液為水,所述第二溶液為甲基碘溶液。
3.根據權利要求2所述的碳化硅切割液分離方法,其特征在于,在靜置所述第一混合溶液達到第一預設時間的步驟之前,碳化硅切割液分離方法還包括:
攪拌或者搖晃所述第一混合溶液,以使所述切割油、所述第一溶液、所述金剛石和所述碳化硅均勻分布;
和/或,在靜置所述第二混合溶液達到第二預設時間的步驟之前,碳化硅切割液分離方法還包括:
攪拌或搖晃所述第二混合溶液,以使所述第二溶液、所述金剛石和所述碳化硅均勻分布。
4.根據權利要求2所述的碳化硅切割液分離方法,其特征在于,在混合所述混合分層和第二溶液,得到第二混合溶液的步驟之前,碳化硅切割液分離方法還包括:
在具有流動氣流的環境下加熱所述混合分層,以去除所述混合分層中的所述第一溶液。
5.根據權利要求4所述的碳化硅切割液分離方法,其特征在于,加熱所述混合分層的溫度為100℃-120℃;
且保持加熱狀態持續1h-15h。
6.根據權利要求2所述的碳化硅切割液分離方法,其特征在于,在分離所述切割油分層和所述混合分層,以分離所述切割油步驟之后,碳化硅切割液分離方法還包括:
加熱所述切割油分層,以去除所述切割油分層中的所述第一溶液,得到所述切割油。
7.根據權利要求6所述的碳化硅切割液分離方法,其特征在于,加熱所述切割油分層的溫度為100℃-120℃;
且保持加熱狀態持續1h-15h。
8.根據權利要求2所述的碳化硅切割液分離方法,其特征在于,在分離所述碳化硅分層和所述金剛石分層,以分離所述碳化硅和所述金剛石的步驟之后,碳化硅切割液分離方法還包括:
加熱所述碳化硅分層,以去除所述碳化硅分層中的所述第二溶液,得到所述碳化硅;
加熱所述金剛石分層,以分離所述金剛石分層中的所述第二溶液,得到所述金剛石。
9.根據權利要求8所述的碳化硅切割液分離方法,其特征在于,加熱所述碳化硅分層的溫度為50℃-150℃;
和/或,加熱所述金剛石分層的溫度為50℃-150℃。
10.根據權利要求2所述的碳化硅切割液分離方法,其特征在于,所述分離所述碳化硅分層和所述金剛石分層,以分離所述碳化硅和所述金剛石的步驟中,碳化硅切割液分離方法包括:
采用80-300目的過濾袋將所述碳化硅分層從所述第二混合溶液分離。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于湖南三安半導體有限責任公司,未經湖南三安半導體有限責任公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/202011628535.5/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。





