[發明專利]一種引線框架及采用該引線框架的功率模塊和制造方法

在審

• 申請號: 202011628486.5
• 申請日: 2020-12-30
• 公開（公告）號: CN112736058A
• 公開（公告）日: 2021-04-30
• 發明（設計）人: 王志超
• 申請（專利權）人: 華芯威半導體科技（北京）有限責任公司
• 主分類號: H01L23/495
• 分類號: H01L23/495;H01L25/07;H01L21/48
• 代理公司: 北京邦創至誠知識產權代理事務所(普通合伙) 11717
• 代理人: 張宇鋒

1.一種引線框架，包括引線端子，引線端子之間有連接筋，其特征在于：所述引線端子在所述連接筋內側的一端設置有連接塊，所述連接塊的厚度大于引線端子及連接筋的厚度。

2.根據權利要求1所述的引線框架，其特征在于：所述引線端子連接的連接塊為多個。

3.根據權利要求2所述的引線框架，其特征在于：所述連接塊之間設置有貫穿孔。

4.根據權利要求1所述的引線框架，其特征在于：所述連接塊分為上部連接塊和下部連接塊，所述上部連接塊和/或下塊連接塊與所述引線框架的材料不同；引線端子的材料為純銅，連接塊的材料為銅鉬合金或銅鎢合金。

5.根據權利要求1所述的引線框架，其特征在于：所述連接塊的上部和/或下部預涂覆有燒結材料。

6.根據權利要求1所述的引線端子，其特征在于：所述引線框架還包括支撐筋，所述支撐筋的一端與所述連接筋相連，支撐筋的另一端與所述連接塊相連。

7.一種功率模塊，其特征在于：包括權利要求1-6任一所述的引線框架、第一絕緣基板、第二絕緣基板、上橋臂芯片、下橋臂芯片，所述第一絕緣基板、第二絕緣基板表面分別釬焊/燒結有所述下橋臂芯片、上橋臂芯片，所述第一絕緣基板、第二絕緣基板釬焊/燒結有芯片的一面相向設置，所述連接塊位于第一絕緣基板、第二絕緣基板之間。

8.根據權利要求7所述的功率模塊，其特征在于：所述上橋臂芯片的集電極/漏極設置在所述第二絕緣基板的上橋臂集電極/漏極銅層上，上橋臂芯片發射極/漏極通過輸出引線端子連接塊與輸出引線端子相連，所述輸出引線端子連接塊還與第一絕緣基板的下橋臂集電極/漏極銅層相連；所述下橋臂芯片的集電極/漏極通過釬焊/燒結設置在下橋臂集電極/漏極銅層的表面；所述下橋臂芯片的發射極/源極通過釬焊/燒結與負極引線端子的連接塊連接，所述負極引線端子連接塊的另一端與第二絕緣基板的下橋臂連接銅層相連，所述負極引線端子連接塊與負極引線端子連接。

9.根據權利要求7或8中任一所述的功率模塊，其特征在于：所述上橋臂芯片、下橋臂芯片的柵極通過鍵合線分別與上橋臂柵極銅層、下橋臂柵極銅層相連；所述上橋臂芯片、下橋臂芯片的發射極/源極通過鍵合線分別與上橋臂發射極/源極銅層、下橋臂發射極/源極銅層相連。

10.一種制造權利要求7-9任一所述的功率模塊的方法，其特征在于：包括如下步驟：

第一步：將上橋臂芯片、下橋臂芯片分別釬焊/燒結在第二絕緣基板、第一絕緣基板上，并將熱敏電阻釬焊/燒結在第一絕緣基板上；

第二步：使用鋁線或銀線或金線將芯片柵極與柵極銅層相連，將芯片的發射極/源極與發射極/源極銅層相連；

第三步：在上橋臂芯片、下橋臂芯片的發射極/源極涂覆釬焊料，或者在引線框架連接塊的兩端粘結銀膜；

第四步：放置第二絕緣基板、引線框架、第一絕緣基板，將三層疊放在一起；

第五步：釬焊/燒結，通過加溫加壓將第二絕緣基板、引線框架、第一絕緣基板釬焊/燒結在一起；

第六步：注塑，使用注塑壓機將環氧樹脂注入型腔，填滿第一絕緣基板、第二絕緣基板之間，并且露出第一絕緣基板、第二絕緣基板外部的金屬層；

第七步：去溢料，去除塑封后殘留在引線端子之間的多余的環氧；

第七步：切筋，去除連接筋、支撐筋；

第八步：折彎。