[發(fā)明專利]一種改善SiC功率器件封裝熱均勻性的封裝結構在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202011628481.2 | 申請日： | 2020-12-30 |
| 公開（公告）號： | CN112670254A | 公開（公告）日： | 2021-04-16 |
| 發(fā)明（設計）人： | 何少偉;馬敏輝;宋召海 | 申請（專利權）人： | 華芯威半導體科技（北京）有限責任公司 |
| 主分類號： | H01L23/373 | 分類號： | H01L23/373;H01L23/492;H01L25/11;H01L25/18 |
| 代理公司： | 北京邦創(chuàng)至誠知識產(chǎn)權代理事務所(普通合伙) 11717 | 代理人： | 張宇鋒 |
| 地址： | 100744 北京市大興區(qū)經(jīng)濟*** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 改善 sic 功率 器件 封裝 均勻 結構 | ||
1.一種改善SiC功率器件封裝熱均勻性的封裝結構，包括SiC芯片一、SiC芯片二、DBC上銅層一、DBC上銅層二、DBC上銅層三、DBC陶瓷層、DBC下銅層以及基板；其特征在于，所述DBC上銅層一、DBC上銅層二、DBC上銅層三以及所述DBC下銅層的表面均刻蝕鏤空結構焊料層；
所述SiC芯片一的上表面通過鍵合鋁包銅帶與所述DBC上銅層二上的所述鏤空結構焊料層相連；所述SiC芯片二的上表面通過鍵合鋁包銅帶與所述DBC上銅層三上的所述鏤空結構焊料層相連；SiC芯片一的下表面通過鏤空結構焊料層焊接在所述DBC上銅層一上，SiC芯片二的下表面通過鏤空結構焊料層焊接在DBC上銅層二上，所述DBC下銅層通過鏤空結構焊料層焊接在基板上。
2.根據(jù)權利要求1所述的改善SiC功率器件封裝熱均勻性的封裝結構，其特征在于，所述DBC上銅層一的蝕鏤空結構外圍矩形尺寸與所述SiC芯片一的外圍尺寸相同，所述DBC上銅層二的蝕鏤空結構外圍矩形尺寸與所述SiC芯片二加鍵合鋁包銅帶焊接面輪廓總的外圍尺寸相同，所述DBC上銅層三的蝕鏤空結構外圍矩形尺寸與鍵合鋁包銅帶焊接面輪廓尺寸相同。
3.根據(jù)權利要求1所述的改善SiC功率器件封裝熱均勻性的封裝結構，其特征在于，所述鏤空結構焊料層整體刻蝕為矩形深槽，深槽內(nèi)壁與被蝕刻體的表面垂直；且深槽內(nèi)保留等距等高的銅柱若干。
4.根據(jù)權利要求3所述的改善SiC功率器件封裝熱均勻性的結構，其特征在于，所述銅柱為圓柱、正四棱柱或頂面矩形長大于寬的線型直四棱柱。
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