[發明專利]一種疊層引線端子及采用該引線端子的功率模塊在審
| 申請號: | 202011628469.1 | 申請日: | 2020-12-30 |
| 公開(公告)號: | CN112670263A | 公開(公告)日: | 2021-04-16 |
| 發明(設計)人: | 王志超 | 申請(專利權)人: | 華芯威半導體科技(北京)有限責任公司 |
| 主分類號: | H01L23/492 | 分類號: | H01L23/492;H01L25/07;H01L25/18;H01L23/04;H01L23/10 |
| 代理公司: | 北京邦創至誠知識產權代理事務所(普通合伙) 11717 | 代理人: | 張宇鋒 |
| 地址: | 100744 北京市大興區經濟*** | 國省代碼: | 北京;11 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 引線 端子 采用 功率 模塊 | ||
1.一種疊層引線端子,包括第一引線端子、第二引線端子,所述第一引線端子、第二引線端子均包括主體部分,在所述主體部分的一端彎折出連接部分,所述連接部分設置有連接孔,主體部分的另一端向兩側及遠離連接部分的方向延伸出連接臂,所述連接臂的末端彎折出焊腳;其特征在于:所述第二引線端子的連接部分還設置有過渡孔,所述第一引線端子與第二引線端子的連接臂、主體部分、連接部分疊層設置,且第一引線端子的連接孔設置在所述過渡孔的上方。
2.根據權利要求1所述的疊層引線端子,其特征在于:所述第一引線端子、第二引線端子的焊腳相背設置。
3.根據權利要求1所述的疊層引線端子,其特征在于:所述第二引線端子過渡孔的尺寸大于所述第一引線端子的連接孔的尺寸。
4.根據權利要求1所述的疊層引線端子,其特征在于:所述第二引線端子的連接部分的長度大于所述第一引線端子的連接部分的長度。
5.一種采用權利要求1至4任一所述的疊層引線端子的功率模塊,其特征在于:還包括底板以及設置在所述底板上方的陶瓷絕緣基板,所述陶瓷絕緣基板上方的銅層包括分離的正極銅層、負極銅層,所述第一引線端子的焊腳與正極銅層相連,所述第二引線端子的焊腳與負極銅層連接。
6.根據權利要求5所述的功率模塊,其特征在于:還包括成型外殼,所述成型外殼設置在所述底板的上方,所述第一引線端子、第二引線端子注塑在所述成型外殼的內部,第一引線端子、第二引線端子連接孔的位置設置有螺母沉孔,在所述螺母沉孔的上下兩側為鏤空結構。
7.根據權利要求5或6所述的功率模塊,其特征在于:還包括輸出銅層、過渡銅層、上橋臂柵極銅層、下橋臂柵極銅層,所述正極銅層上設置有上橋臂芯片,所述過渡銅層上設置有下橋臂芯片。
8.根據權利要求7所述的功率模塊,其特征在于:所述上橋臂芯片、下橋臂芯片為IGBT芯片、MOSFET芯片、FRD芯片、SBD芯片中的一種或幾種,當上橋臂芯片、下橋臂芯片包括IGBT芯片或MOSFET芯片時,上橋臂IGBT芯片或MOSFET芯片的柵極通過鍵合線與上橋臂柵極銅層相連,下橋臂IGBT芯片或MOSFET芯片的柵極通過鍵合線與下橋臂柵極銅層相連。
9.根據權利要求7所述的功率模塊,其特征在于:所述上橋臂芯片通過連接銅橋與所述輸出銅層、過渡銅層相連,所述下橋臂芯片通過連接銅橋與所述負極銅層相連。
10.根據權利要求6所述的功率模塊,其特征在于:所述成型外殼的內部設置有柔性硅膠,所述柔性硅膠覆蓋在上橋臂芯片、下橋臂芯片、鍵合線的上方;在所述成型外殼的鏤空部分注入環氧樹脂,所述環氧樹脂覆蓋在所述柔性硅膠的上方。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于華芯威半導體科技(北京)有限責任公司,未經華芯威半導體科技(北京)有限責任公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/202011628469.1/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。





