[發明專利]集成電路芯片、數據分析系統及電子設備有效
| 申請號: | 202011628410.2 | 申請日: | 2020-12-31 |
| 公開(公告)號: | CN112768444B | 公開(公告)日: | 2023-06-13 |
| 發明(設計)人: | 張國 | 申請(專利權)人: | 成都海光集成電路設計有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/02 | 分類號: | H01L27/02 |
| 代理公司: | 北京超凡宏宇專利代理事務所(特殊普通合伙) 11463 | 代理人: | 余菲 |
| 地址: | 610000 四川省成都市高新區天府大道*** | 國省代碼: | 四川;51 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 集成電路 芯片 數據 分析 系統 電子設備 | ||
1.一種集成電路芯片,其特征在于,包括多個功能模塊、數據轉運站和數據存儲模塊,所述數據轉運站與所述多個功能模塊和所述數據存儲模塊連接;
所述數據轉運站用于從所述多個功能模塊輸出的多組內部數據中選取出一條目標數據,并將所述目標數據發送給所述數據存儲模塊;
所述數據存儲模塊用于對所述目標數據進行存儲,并在接收到數據發送指令時,將所述目標數據發送給數據分析設備,以供所述數據分析設備對所述目標數據進行分析,獲得對應的數據分析結果;
其中,所述數據轉運站包括一個全量數據轉運模塊或多個部分數據轉運模塊;
若所述數據轉運站包括一個全量數據轉運模塊,則所述全量數據轉運模塊與所述多個功能模塊連接,用于從所述多個功能模塊輸出的多組內部數據中選取出一條目標數據,并將所述目標數據發送給所述數據存儲模塊;
若所述數據轉運站包括多個部分數據轉運模塊,則所述多個部分數據轉運模塊根據所述多個功能模塊在所述集成電路芯片上的物理位置以鏈式或樹狀形式連接,形成轉運網絡,所述轉運網絡用于連接所述多個功能模塊,以從所述多個功能模塊輸出的多組內部數據中選取出一條目標數據,并將所述目標數據發送給所述數據存儲模塊;
其中,所述全量數據轉運模塊包括多個第六數據選擇器和一個第七數據選擇器,所述多個第六數據選擇器與所述多個功能模塊一一對應連接,所述第七數據選擇器與所述多個第六數據選擇器連接;
針對所述多個第六數據選擇器中的每個第六數據選擇器,所述第六數據選擇器用于從對應功能模塊輸出的一組內部數據中選取出一條第三中間待選數據;
所述第七數據選擇器用于從所述多個第六數據選擇器選取出的多條第三中間待選數據中選取出所述目標數據。
2.根據權利要求1所述的集成電路芯片,其特征在于,若所述數據轉運站包括多個部分數據轉運模塊,所述轉運網絡中位于葉節點部位的部分數據轉運模塊為第一數據轉運模塊,非葉節點部位的部分數據轉運模塊為第二數據轉運模塊;
所述第一數據轉運模塊與所述多個功能模塊中相鄰的至少一個第一功能模塊連接,用于從所述至少一個第一功能模塊輸出的至少一組內部數據中選取出一條第一中間待選數據,并將所述第一中間待選數據發送給相鄰的第二數據轉運模塊;
所述第二數據轉運模塊與所述多個功能模塊中的相鄰的至少一個第二功能模塊連接,并接入相鄰的至少一個第一數據轉運模塊輸出的至少一條第一中間待選數據,和/或接入相鄰的至少一個其他第二數據轉運模塊輸出的至少一條第二中間待選數據,用于從所述至少一個第二功能模塊輸出的至少一組內部數據,以及所述至少一條第一中間待選數據和/或所述至少一條第二中間待選數據中選取出目標待選數據;
若所述第二數據轉運模塊非所述轉運網絡中位于根節點部位的部分數據轉運模塊,則將所述目標待選數據作為新的第二中間待選數據,并發送給相鄰的其他第二數據轉運模塊,若所述第二數據轉運模塊為所述轉運網絡中位于根節點部位的部分數據轉運模塊,則將所述目標待選數據作為所述目標數據。
3.根據權利要求2所述的集成電路芯片,其特征在于,若所述第一數據轉運模塊與所述多個功能模塊中相鄰的一個第一功能模塊連接,則所述第一數據轉運模塊包括一個第一數據選擇器,所述第一數據選擇器與所述第一功能模塊連接;
所述第一數據選擇器用于從所述第一功能模塊輸出的一組內部數據中選取出所述第一中間待選數據。
4.根據權利要求3所述的集成電路芯片,其特征在于,所述第一數據轉運模塊還包括一個第一數據中繼器和一個第二數據中繼器;
所述第一數據選擇器通過所述第一數據中繼器與所述第一功能模塊連接,且所述第一數據中繼器的時鐘控制端接入與所述第一中間待選數據來源相同的第一待選時鐘信號;
所述第一數據選擇器通過所述第二數據中繼器輸出所述第一中間待選數據,且所述第二數據中繼器的時鐘控制端接入與所述第一中間待選數據來源相同的第一待選時鐘信號。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的
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