[發明專利]量子點發光二極管及其制備方法

在審

• 申請號: 202011628345.3
• 申請日: 2020-12-30
• 公開（公告）號: CN114695698A
• 公開（公告）日: 2022-07-01
• 發明（設計）人: 黃盼寧;蘆子哲
• 申請（專利權）人: TCL科技集團股份有限公司
• 主分類號: H01L51/50
• 分類號: H01L51/50;H01L51/54;H01L51/56
• 代理公司: 深圳市君勝知識產權代理事務所(普通合伙) 44268
• 代理人: 劉芙蓉

本發明公開一種量子點發光二極管及其制備方法。量子點發光二極管包括第一量子點層，第一量子點層的表面結合有半胱氨酸。本發明采用半胱氨酸對第一量子點層的表面進行修飾，由于半胱氨酸含有硫代基團，該硫代基團與量子點的結合力較強，不易從量子點表面脫落，因此器件在長時間點亮的情況下不會出現類似有機分子從量子點表面脫落導致的量子點膜發生改變影響器件性能的問題，從而提高器件的穩定性和壽命。另外，半胱氨酸的鏈長較短，有利于電荷傳輸，從而提高量子點發光二極管的發光效率。此外，結合于第一量子點層表面的半胱氨酸之間可以通過脫水縮合相連，形成穩定、均勻的連接體，這樣第一量子點層的成膜性更好、其表面平坦、量子點排布整齊。

技術領域

本發明涉及量子點發光二極管技術領域，尤其涉及一種量子點發光二極管及其制備方法。

背景技術

納米材料被譽為21世紀最具有前途的材料，量子點做為納米材料領域的一個重要分支也有很重要的應用和研究價值。由于其具有較特殊的光學和電學性能能夠應用在很多方面如：發光二極管、太陽能電池、熒光生物標記、照明等領域。

量子點的應用不僅與其本身的材料特征、尺寸有關也與其表面的配體有關；量子點表面的配體對于相關的應用具有重要的決定作用。不同的配體種類對量子點的應用性能具有直接的相關性。

在量子點的某些方面的應用會涉及到量子點膜的制備，對于量子點膜而言，膜的電傳導性對于器件的性能影響較大，其中量子點表面的配體主要影響量子點膜的電荷傳導性，量子點表面較長的有機配體對量子點膜的電傳導性能有一定的阻礙作用。

在量子點發光二極管(QLED)的研究過程中，量子點的表面配體對QLED器件的影響較大，碳鏈相對較長的配體如油酸(OA)、油胺(OLA)等，會影響量子點與量子點之間的電荷傳輸、進而會影響QLED器件的性能。因此，在量子點的合成與后處理過程中需要對其進行相應的配體交換，進而滿足QLED器件的需求。

因此，現有技術還有待于改進和發展。

發明內容

鑒于上述現有技術的不足，本發明的目的在于提供一種量子點發光二極管及其制備方法，旨在解決現有量子點膜的導電性較差，影響QLED器件的性能的問題。

本發明的技術方案如下：

本發明的第一方面，提供一種量子點發光二極管，其中，包括第一量子點層，第一量子點層的表面結合有半胱氨酸。

可選地，結合于第一量子點層表面的半胱氨酸之間相互連接。

可選地，量子點發光二極管還包括與第一量子點層臨接的第二量子點層，第二量子點層的遠離第一量子點層所在側的表面結合有配體，配體為半胱氨酸與長鏈有機羧酸或長鏈有機胺經脫水縮合得到的配體。

可選地，量子點發光二極管還包括陽極、陰極、空穴功能層和電子功能層，第一量子點層與第二量子點層均設置于空穴功能層和電子功能層之間，第一量子點層靠近空穴功能層所在側設置，第二量子點層靠近電子功能層所在側設置，陽極位于空穴功能層的遠離第一量子點層所在側設置，陰極位于電子功能層的遠離第二量子點層所在側設置。

可選地，長鏈有機羧酸選自辛酸、壬酸、癸酸、十一烷基酸、十二烷基酸、十三烷基酸、十四烷基酸、十六烷基酸、十八烷基酸、十一烯酸、十二烯酸、十三烯酸、十四烯酸、十五烯酸、十六烯酸、十七烯酸、十八烯酸中的一種或多種；

長鏈有機胺選自辛胺、壬胺、癸胺、十二胺、十四胺、十六胺、十八胺、十二烯胺、十四烯胺、十六烯胺和十八烯胺中的一種或多種。

可選地，第一量子點層的厚度為30-50nm，第二量子點層的厚度為40-60nm。

本發明的第二方面，提供一種本發明所述的量子點發光二極管的制備方法，其中，包括步驟：

提供原始第一量子點層，原始第一量子點層的表面結合有長鏈有機羧酸或長鏈有機胺；