[發明專利]一種量子點發光二極管及其制備方法

在審

• 申請號: 202011628289.3
• 申請日: 2020-12-30
• 公開（公告）號: CN114695697A
• 公開（公告）日: 2022-07-01
• 發明（設計）人: 郭煜林;吳龍佳;張天朔;李俊杰;童凱
• 申請（專利權）人: TCL科技集團股份有限公司
• 主分類號: H01L51/50
• 分類號: H01L51/50;H01L51/54;H01L51/56
• 代理公司: 深圳市君勝知識產權代理事務所(普通合伙) 44268
• 代理人: 劉芙蓉

1.一種量子點發光二極管，包括陽極、陰極、設置在所述陽極和陰極之間的量子點發光層、設置在所述陰極和量子點發光層之間的電子傳輸層，其特征在于，所述電子傳輸層包括金屬氧化物與多金屬氧酸鹽。

2.根據權利要求1所述的量子點發光二極管，其特征在于，所述電子傳輸層由金屬氧化物與多金屬氧酸鹽組成。

3.根據權利要求1所述的量子點發光二極管，其特征在于，所述金屬氧化物與多金屬氧酸鹽的摩爾比為1:(0.01～0.1)。

4.根據權利要求1所述的量子點發光二極管，其特征在于，所述金屬氧化物選自ZnO、TiO₂、SnO₂、Ta₂O₃、ZrO₂、NiO、TiLiO、ZnAlO、ZnMgO、ZnSnO、ZnLiO和InSnO中的一種或多種。

5.根據權利要求1-4任一項所述的量子點發光二極管，其特征在于，所述多金屬氧酸鹽選自H_aXM₆O₂₄、H_aXM₁₂O₄₀、H_aXM₁₈O₆₂中的一種或多種，X為雜原子，M為具有d電子的過渡金屬元素，a為大于等于1的自然數。

6.根據權利要求5所述的量子點發光二極管，其特征在于，所述X選自P、Si、Al、As、Sn中的一種或多種，所述M選自Mo、W、V、Nb、Ta中的一種或多種。

7.根據權利要求6所述的量子點發光二極管，其特征在于，所述多金屬氧酸鹽選自H₃PW₁₂O₄₀、HCs₂PW₁₂O₄₀、H₅PV₂Mo₁₀O₄₀、H₆P₂Mo₁₈O₆₂、H₆As₂Mo₁₈O₆₂、H₉CoMo₆O₂₄中的一種或多種。

8.一種量子點發光二極管的制備方法，其特征在于，包括步驟：

在陽極上形成量子點發光層；

在所述量子點發光層上形成電子傳輸層，所述電子傳輸層包括金屬氧化物與多金屬氧酸鹽；

在所述電子傳輸層上形成陰極，得到所述量子點發光二極管；

或者，在陰極上形成電子傳輸層，所述電子傳輸層包括金屬氧化物與多金屬氧酸鹽；

在所述電子傳輸層上形成量子點發光層；

在所述量子點發光層上形成陽極，得到所述量子點發光二極管。

9.根據權利要求8所述的量子點發光二極管的制備方法，其特征在于，在所述量子點發光層上形成電子傳輸層的步驟，包括：

提供含金屬氧化物與多金屬氧酸鹽的混合溶液；

將所述混合溶液沉積于所述量子點發光層上，進行退火處理，得到所述電子傳輸層；

或者，在陰極上形成電子傳輸層的步驟，包括：

提供含金屬氧化物與多金屬氧酸鹽的混合溶液；

將所述混合溶液沉積于所述陰極上，進行退火處理，得到所述電子傳輸層。

10.根據權利要求9所述的量子點發光二極管的制備方法，其特征在于，所述退火的溫度為60-120℃；和/或，所述退火的時間為15-120min。

和/或，所述混合溶液中，所述金屬氧化物與多金屬氧酸鹽的摩爾比為1:(0.01～0.1)。