[發(fā)明專利]基于金屬網(wǎng)的改善串擾的微顯示器結(jié)構(gòu)以及制備方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202011627908.7 | 申請日: | 2020-12-31 |
| 公開(公告)號: | CN112768494A | 公開(公告)日: | 2021-05-07 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 呂迅 | 申請(專利權(quán))人: | 安徽熙泰智能科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L51/52;H01L51/56 |
| 代理公司: | 北京恒泰銘睿知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11642 | 代理人: | 楊昊 |
| 地址: | 241000 安徽省蕪湖市長江大橋*** | 國省代碼: | 安徽;34 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 基于 金屬網(wǎng) 改善 顯示器 結(jié)構(gòu) 以及 制備 方法 | ||
本發(fā)明公開了一種基于金屬網(wǎng)的改善串擾的微顯示器結(jié)構(gòu)以及制備方法,其中,所述微顯示器結(jié)構(gòu)包括:微顯示發(fā)光本體、金屬網(wǎng)格層和濾光片層;所述金屬網(wǎng)格層設(shè)置在所述微顯示發(fā)光本體中封裝層的上表面,所述金屬網(wǎng)格層呈網(wǎng)格狀,且中部均勻地形成有多個間隔,所述濾光片層設(shè)置在所述間隔內(nèi)。該微顯示器結(jié)構(gòu)克服現(xiàn)有技術(shù)中的微顯示器隨著像素尺寸的減小,像素間的光學串擾和電學串擾越來越嚴重的問題。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及微顯示器技術(shù)領(lǐng)域,具體地,涉及一種基于金屬網(wǎng)的改善串擾的微顯示器結(jié)構(gòu)以及制備方法。
背景技術(shù)
在微顯示器中,隨著像素尺寸的減小,像素間的光學串擾和電學串擾越來越嚴重;其中,光學串擾是指光在金屬陽極上的反射會使光線串擾到鄰近像素,導致鄰近暗態(tài)的像素發(fā)光,或由于像素邊緣交疊發(fā)光強度更強導致像素邊緣更亮。電學串擾是指電流的橫向擴散會使陽極間隔處發(fā)光,嚴重的情況下甚至會導致鄰近像素發(fā)光,兩種串擾都會導致色域偏低。
因此,提供一種在使用過程中可以有效地改善光學串擾和電學串擾的基于金屬網(wǎng)的改善串擾的微顯示器結(jié)構(gòu)以及制備方法是本發(fā)明亟需解決的問題。
發(fā)明內(nèi)容
針對上述技術(shù)問題,本發(fā)明的目的是克服現(xiàn)有技術(shù)中的微顯示器隨著像素尺寸的減小,像素間的光學串擾和電學串擾越來越嚴重;其中,光學串擾是指光在金屬陽極上的反射會使光線串擾到鄰近像素,導致鄰近暗態(tài)的像素發(fā)光,或由于像素邊緣交疊發(fā)光強度更強導致像素邊緣更亮。電學串擾是指電流的橫向擴散會使陽極間隔處發(fā)光,嚴重的情況下甚至會導致鄰近像素發(fā)光,兩種串擾都會導致色域偏低的問題,從而提供一種在使用過程中可以有效地改善光學串擾和電學串擾的基于金屬網(wǎng)的改善串擾的微顯示器結(jié)構(gòu)以及制備方法。
為了實現(xiàn)上述目的,本發(fā)明提供了一種基于金屬網(wǎng)的改善串擾的微顯示器結(jié)構(gòu),所述微顯示器結(jié)構(gòu)包括:微顯示發(fā)光本體、金屬網(wǎng)格層和濾光片層;所述金屬網(wǎng)格層設(shè)置在所述微顯示發(fā)光本體中封裝層的上表面,所述金屬網(wǎng)格層呈網(wǎng)格狀,且中部均勻地形成有多個間隔,所述濾光片層設(shè)置在所述間隔內(nèi)。
優(yōu)選地,所述金屬網(wǎng)格層的材質(zhì)為鋁、鈦、鉬和鎢中的任意一種。
優(yōu)選地,所述微顯示發(fā)光本體包括:自下而上依次設(shè)置的驅(qū)動電路板、陽極層、發(fā)光層、陰極層和封裝層;其中,所述陽極層上間隔設(shè)置有多個與所述濾光片層相配合的空洞,每個所述空洞中都設(shè)置有像素定義層。
優(yōu)選地,所述濾光片層包括:紅色濾光片、綠色濾光片以及藍色濾光片,三種濾光片分別均勻地設(shè)置在所述金屬網(wǎng)格層上的多個間隔中。
優(yōu)選地,所述濾光片層的上方還設(shè)置有濾光片保護層。
本發(fā)明還提供了一種基于金屬網(wǎng)的改善串擾的微顯示器結(jié)構(gòu)的制備方法,所述方法包括:
制備微顯示發(fā)光本體;
在所述微顯示發(fā)光本體的封裝層上沉積金屬層;
對所述金屬層進行光刻、刻蝕和剝離以形成金屬網(wǎng)格層;
在所述金屬網(wǎng)格層上的多個間隔中制備濾光片層。
優(yōu)選地,所述制備微顯示發(fā)光本體的方法包括:
在驅(qū)動電路板上制備陽極層,且所述陽極層上間隔設(shè)置有多個與所述濾光片層相配合的空洞;
在所述空洞中制備像素定義層;
在所述陽極層上分別依次蒸鍍發(fā)光層和陰極層;
在所述陰極層上沉積封裝層。
優(yōu)選地,在所述金屬網(wǎng)格層上的多個間隔中制備濾光片層之后,所述方法還包括:
在所述濾光片層上制備濾光片保護層。
優(yōu)選地,所述濾光片層包括:紅色濾光片、綠色濾光片以及藍色濾光片。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于安徽熙泰智能科技有限公司,未經(jīng)安徽熙泰智能科技有限公司許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/202011627908.7/2.html,轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的多個半導體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





