[發明專利]扇出型封裝結構及封裝方法

在審

• 申請號: 202011626286.6
• 申請日: 2020-12-30
• 公開（公告）號: CN112820706A
• 公開（公告）日: 2021-05-18
• 發明（設計）人: 李尚軒
• 申請（專利權）人: 南通通富微電子有限公司
• 主分類號: H01L23/482
• 分類號: H01L23/482;H01L23/485;H01L23/488;H01L21/50
• 代理公司: 北京志霖恒遠知識產權代理事務所(普通合伙) 11435
• 代理人: 劉進

1.一種扇出型封裝結構，其特征在于，包括芯片，所述芯片上設置多個焊盤，所述芯片未設所述焊盤的面包覆有封裝材料；

第一介電層，設置在所述芯片設有所述焊盤的面上，所述第一介電層上設有第一通孔，所述第一通孔暴露部分所述焊盤；

第二介電層，設置在所述第一介電層上，所述第二介電層上設有第二通孔，所述第二通孔暴露所述第一通孔；

重布線金屬層，設置在所述第二介電層上且填充所述第一通孔和所述第二通孔；

多個錫球，間隔設置在所述重布線金屬層上。

2.根據權利要求1所述的扇出型封裝結構，其特征在于，所述第二通孔孔徑大于等于所述第一通孔孔徑。

3.根據權利要求2所述的扇出型封裝結構，其特征在于，所述第一通孔為錐孔或者直孔，所述第二通孔為錐孔或者直孔。

4.根據權利要求1-3任一所述的扇出型封裝結構，其特征在于，所述第一介電層和所述第二介電層的厚度均為5μm-22μm。

5.根據權利要求4所述的扇出型封裝結構，其特征在于，所述第一通孔和所述第二通孔截面為圓形。

6.根據權利要求5所述的扇出型封裝結構，其特征在于，所述第一通孔和所述第二通孔共軸設置。

7.一種權利要求1-6任一所述的扇出型封裝方法，其特征在于，包括步驟：

提供一芯片，所述芯片上設置有多個焊盤；

在所述芯片設置所述焊盤的面上設有第一介電層，在所述第一介電層上開第一通孔；

在所述第一介電層上設有第二介電層，在所述第二介電層上開第二通孔；

在所述第二介電層上形成重布線金屬層，所述重布線金屬層填充所述第一通孔和所述第二通孔設置；

在所述重布線金屬層上設置錫球。

8.根據權利要求7所述的扇出型封裝方法，其特征在于，所述在所述芯片設置所述焊盤的面上設有第一介電層前還包括步驟：

在所述芯片未設所述焊盤的面進行封裝，所述封裝材料包覆所述芯片未設所述焊盤的面。

9.根據權利要求7所述的扇出型封裝方法，其特征在于，所述焊盤部分露出所述第一通孔設置；

所述第一通孔露出所述第二通孔設置。