[發明專利]一種大功率半導體光放大器在審
| 申請號： | 202011625906.4 | 申請日： | 2020-12-30 |
| 公開（公告）號： | CN112670827A | 公開（公告）日： | 2021-04-16 |
| 發明（設計）人： | 陳嘉健;陳亦凡;魏玲 | 申請（專利權）人： | 蘇州零維量點光電科技有限公司 |
| 主分類號： | H01S5/34 | 分類號： | H01S5/34;H01S5/50 |
| 代理公司： | 蘇州謹和知識產權代理事務所(特殊普通合伙) 32295 | 代理人： | 徐磊 |
| 地址： | 215000 江蘇省蘇州市蘇州工業園*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 大功率 半導體 放大器 | ||
【權利要求書】：
1.一種大功率半導體光放大器，其特征在于，包括沿光傳播方向依次設置的若干增益介質，用于放大輸入所述增益介質的信號光，所述增益介質包括基板、以及所述基板上方依次層疊設置的下限制層、有源層和上限制層，所述有源層由量子點材料組成。
2.如權利要求1所述的大功率半導體光放大器，其特征在于，若干所述增益介質彼此串聯連接，沿光傳播方向上的前一個增益介質的輸出信號光作為后一個增益介質的輸入信號光。
3.如權利要求1所述的大功率半導體光放大器，其特征在于，所述增益介質為1×1多模相干結構。
4.如權利要求1所述的大功率半導體光放大器，其特征在于，所述增益介質外鍍有增透膜。
5.如權利要求4所述的大功率半導體光放大器，其特征在于，用于制作反射型半導體光放大器，所述增益介質外鍍有反射膜和增透膜。
6.如權利要求1所述的大功率半導體光放大器，其特征在于，所述基板上方依次層疊設置有緩沖層、n電極層、下限制層、有源層、上限制層和p電極層，所述p電極層和n電極層分別與所述有源層之間設有上限制層和下限制層。
7.如權利要求6所述的大功率半導體光放大器，其特征在于，所述p電極層和n電極層為砷化鎵層。
8.如權利要求6所述的大功率半導體光放大器，其特征在于，所述上限制層和下限制層為鋁鎵砷層。
下載完整專利技術內容需要扣除積分，VIP會員可以免費下載。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于蘇州零維量點光電科技有限公司，未經蘇州零維量點光電科技有限公司許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/202011625906.4/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇：克羅恩病英夫利昔單抗藥效預測方法及終端設備
- 下一篇：泛光燈
