[發(fā)明專(zhuān)利]一種發(fā)光二極管芯片及其應(yīng)用有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202011625607.0 | 申請(qǐng)日: | 2020-09-21 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN112768584B | 公開(kāi)(公告)日: | 2023-09-19 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 陳衛(wèi)軍;劉美華 | 申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人: | 廣東晶相光電科技有限公司;深圳市晶相技術(shù)有限公司 |
| 主分類(lèi)號(hào): | H01L33/48 | 分類(lèi)號(hào): | H01L33/48;H01L33/50;H01L33/52;H01L33/62;H01L25/075;H01L27/15 |
| 代理公司: | 上海光華專(zhuān)利事務(wù)所(普通合伙) 31219 | 代理人: | 王積毅 |
| 地址: | 529000 廣東省江門(mén)市*** | 國(guó)省代碼: | 廣東;44 |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 發(fā)光二極管 芯片 及其 應(yīng)用 | ||
本發(fā)明提出一種發(fā)光二極管芯片及其應(yīng)用,所述發(fā)光二極管芯片包括:多個(gè)發(fā)光二極管;多個(gè)電性連接件,分別連接于所述多個(gè)發(fā)光二極管;以及封裝體,將多個(gè)所述發(fā)光二極管整合成所述發(fā)光二極管芯片;其中,所述多個(gè)發(fā)光二極管具有相同的光色。通過(guò)本發(fā)明提供的一種發(fā)光二極管芯片及其應(yīng)用,提高發(fā)光二極管面板制造過(guò)程中的轉(zhuǎn)印良率。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體領(lǐng)域,特別涉及一種發(fā)光二極管芯片及其應(yīng)用。
背景技術(shù)
微型發(fā)光二極管(Micro?LED)是目前熱門(mén)研究的下一代顯示器的光源。微型發(fā)光二極管顯示器具有低功率消耗、高亮度、超高分辨率、超高色彩飽和度、響應(yīng)速度快、能耗低,及壽命長(zhǎng)等優(yōu)點(diǎn)。此外,微型發(fā)光二極管顯示器的功率消耗量約為液晶顯示器(LCD)的10%或有機(jī)發(fā)光二極管顯示器(OLED)的50%。而與同樣是自發(fā)光的OLED相比較,亮度高了30倍,且分辨率可以達(dá)到1500PPI(像素密度,Pixels?Per?Inch)。微型發(fā)光二極管顯示器的的這些明顯的優(yōu)勢(shì),使得它有望取代現(xiàn)在的OLED和LCD,成為下一代的顯示器。微型發(fā)光二極管目前還無(wú)法量產(chǎn),是因?yàn)槟壳斑€有許多技術(shù)難題需要克服,其中一個(gè)重要的技術(shù)難題就是如何提高轉(zhuǎn)印良率。
發(fā)明內(nèi)容
鑒于上述現(xiàn)有技術(shù)的缺陷,本發(fā)明提出一種發(fā)光二極管芯片及其應(yīng)用,所述發(fā)光二極體芯片內(nèi)包括多個(gè)具有相同光色的發(fā)光二管結(jié)構(gòu)。
為實(shí)現(xiàn)上述目的及其他目的,本發(fā)明提出一種發(fā)光二極管芯片,該發(fā)光二極管芯片包括:
多個(gè)發(fā)光二極管;
多個(gè)電性連接件,分別連接于所述多個(gè)發(fā)光二極管;以及
封裝體,將多個(gè)所述發(fā)光二極管整合成所述發(fā)光二極管芯片;
其中,所述多個(gè)發(fā)光二極管具有相同的光色。
在本發(fā)明一實(shí)施例中,所述多個(gè)發(fā)光二極管的光色為藍(lán)光、紅光或綠光。
本發(fā)明還提供一種發(fā)光二極管面板,其包括:
電路基板;
多個(gè)所述發(fā)光二極管芯片,其設(shè)置于所述電路基板上;以及
波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換層,設(shè)置于所述發(fā)光二極管芯片上。
在本發(fā)明一實(shí)施例中,相鄰所述發(fā)光二極管芯片的間距小于所述發(fā)光二極管芯片的長(zhǎng)度或?qū)挾取?/p>
在本發(fā)明一實(shí)施例中,所述發(fā)光二極管面板還包括平坦化層,其設(shè)置于所述發(fā)光二極管芯片上。
在本發(fā)明一實(shí)施例中,所述發(fā)光二極管面板還包括光阻隔層,其設(shè)置于所述發(fā)光二極管芯片之間。
在本發(fā)明一實(shí)施例中,所述發(fā)光二極管面板還包括保護(hù)層,其設(shè)置于所述發(fā)光二極管芯片上。
在本發(fā)明一實(shí)施例中,所述發(fā)光二極管面板還包括保護(hù)基板,其設(shè)置于所述發(fā)光二極管芯片上。
在本發(fā)明一實(shí)施例中,所述發(fā)光二極管面板還包括透光基板,所述波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換層形成于所述透光基板上。
本發(fā)明還提供一種電子裝置,其特征在于,包括所述發(fā)光二極管面板。
綜上所述,通過(guò)本發(fā)明提出一種發(fā)光二極管芯片及其應(yīng)用,同一發(fā)光二管芯片上包括多個(gè)具有相同光色的發(fā)光二管結(jié)構(gòu),在生產(chǎn)微型顯示器時(shí)。在進(jìn)行巨量轉(zhuǎn)移的過(guò)程中,通過(guò)減少轉(zhuǎn)移的數(shù)量以及增大轉(zhuǎn)移結(jié)構(gòu)的體積,從而提高轉(zhuǎn)印良率。
附圖說(shuō)明
圖1:本實(shí)施例提出的生長(zhǎng)腔體的簡(jiǎn)要示意圖。
圖2:本實(shí)施例中基座的另一簡(jiǎn)要示意圖。
圖3:本實(shí)施例中基座的背面示意圖。
圖4:本實(shí)施例中加熱器的簡(jiǎn)要示意圖。
該專(zhuān)利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專(zhuān)利權(quán)人授權(quán)。該專(zhuān)利全部權(quán)利屬于廣東晶相光電科技有限公司;深圳市晶相技術(shù)有限公司,未經(jīng)廣東晶相光電科技有限公司;深圳市晶相技術(shù)有限公司許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購(gòu)買(mǎi)此專(zhuān)利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請(qǐng)聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/202011625607.0/2.html,轉(zhuǎn)載請(qǐng)聲明來(lái)源鉆瓜專(zhuān)利網(wǎng)。
- 同類(lèi)專(zhuān)利
- 專(zhuān)利分類(lèi)
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類(lèi)目中不包括的電固體器件
H01L33-00 至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或表面勢(shì)壘的專(zhuān)門(mén)適用于光發(fā)射的半導(dǎo)體器件;專(zhuān)門(mén)適用于制造或處理這些半導(dǎo)體器件或其部件的方法或設(shè)備;這些半導(dǎo)體器件的零部件
H01L33-02 .以半導(dǎo)體為特征的
H01L33-36 .以電極為特征的
H01L33-44 .以涂層為特征的,例如鈍化層或防反射涂層
H01L33-48 .以半導(dǎo)體封裝體為特征的
H01L33-50 ..波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換元件
- 在線(xiàn)應(yīng)用平臺(tái)上應(yīng)用間通信的回調(diào)應(yīng)答方法、應(yīng)用及在線(xiàn)應(yīng)用平臺(tái)
- 應(yīng)用使用方法、應(yīng)用使用裝置及相應(yīng)的應(yīng)用終端
- 應(yīng)用管理設(shè)備、應(yīng)用管理系統(tǒng)、以及應(yīng)用管理方法
- 能力應(yīng)用系統(tǒng)及其能力應(yīng)用方法
- 應(yīng)用市場(chǎng)的應(yīng)用搜索方法、系統(tǒng)及應(yīng)用市場(chǎng)
- 使用應(yīng)用的方法和應(yīng)用平臺(tái)
- 應(yīng)用安裝方法和應(yīng)用安裝系統(tǒng)
- 使用遠(yuǎn)程應(yīng)用進(jìn)行應(yīng)用安裝
- 應(yīng)用檢測(cè)方法及應(yīng)用檢測(cè)裝置
- 應(yīng)用調(diào)用方法、應(yīng)用發(fā)布方法及應(yīng)用發(fā)布系統(tǒng)





