[發明專利]半導體結構的形成方法

在審

• 申請號: 202011625169.8
• 申請日: 2020-12-30
• 公開（公告）號: CN114695552A
• 公開（公告）日: 2022-07-01
• 發明（設計）人: 周飛
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路新技術研發(上海)有限公司
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L21/336;H01L29/06
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 徐文欣

1.一種半導體結構的形成方法，其特征在于，包括：

提供襯底，所述襯底包括基底，所述基底包括第一區和第二區，所述襯底還包括位于所述基底上的鰭部和隔離結構，所述隔離結構還位于所述鰭部的側壁，且所述隔離結構頂部表面低于所述鰭部頂部表面；

形成橫跨所述鰭部的柵極結構，所述柵極結構位于所述鰭部的部分頂部表面和部分側壁表面；

在所述柵極結構兩側的所述鰭部內形成源漏層；

在所述柵極結構側壁形成第一側墻，所述第一側墻還位于部分所述源漏層側壁和頂部表面；

在所述第一區上的所述源漏層表面形成第一保護層，以及位于所述第一保護層上的掩膜層，所述第一保護層內具有第一摻雜離子，以使所述第一摻雜離子摻入到所述第一區上的所述源漏層頂部表面；

以所述掩膜層為掩膜，向所述第二區上的所述源漏層頂部表面注入第二摻雜離子。

2.如權利要求1所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，向所述第二區上的所述源漏層頂部表面注入第二摻雜離子的工藝包括離子注入工藝。

3.如權利要求2所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，所述離子注入工藝的參數包括：N型離子的能量范圍為3keV至25keV，劑量范圍為2.0E15 atom/cm³至1.5E16 atom/cm³；P型離子的能量范圍為0.5keV至10keV，劑量范圍為3.0E15 atom/cm³至2.0E16 atom/cm³。

4.如權利要求1所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，包括：所述第一摻雜離子為N型，所述第一保護層的材料包括磷硅玻璃；所述第一摻雜離子為P型，所述第一保護層的材料包括硼磷硅玻璃。

5.如權利要求4所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，所述第一保護層的形成工藝包括化學氣相淀積工藝。

6.如權利要求1所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，形成所述第一側墻前，還包括在所述隔離結構上形成第一介質層，所述第一介質層覆蓋所述源漏層側壁表面。

7.如權利要求6所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，所述第一介質層的材料包括氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、碳氧化硅、碳氮化硅和碳氮氧化硅中的一種或多種。

8.如權利要求6所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，所述第一保護層的形成方法包括：在所述第一介質層表面、源漏層表面、柵極結構側壁和頂部表面形成第一保護材料層；在所述第一保護材料層表面形成掩膜層，所述掩膜層暴露出所述第二區上的第一保護材料層表面；以所述掩膜層為掩膜刻蝕所述第一保護材料層，直到暴露出第二區上的第一介質層表面、源漏層表面、柵極結構側壁和頂部表面。

9.如權利要求1所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，注入所述第二摻雜離子后，還包括：去除所述掩膜層；去除所述掩膜層后，在所述襯底上形成第二介質層，所述第二介質層還位于所述第一保護層表面、所述源漏層表面和所述柵極結構側壁和表面。

10.如權利要求9所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，所述第二介質層的材料包括氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、碳氧化硅、碳氮化硅和碳氮氧化硅中的一種或多種。

11.如權利要求1所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，所述第一側墻的材料包括氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、碳氧化硅、碳氮化硅和碳氮氧化硅中的一種或多種。

12.如權利要求1所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，所述柵極結構包括：柵極層；位于所述柵極層側壁的第二側墻；以及位于所述柵極層頂部的第二保護層。

13.如權利要求12所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，所述柵極層的材料包括多晶硅。