[發明專利]一種半導體器件

在審

• 申請號: 202011624301.3
• 申請日: 2020-12-31
• 公開（公告）號: CN114695551A
• 公開（公告）日: 2022-07-01
• 發明（設計）人: 王瓊
• 申請（專利權）人: 無錫華潤上華科技有限公司
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L29/06;H01L21/762
• 代理公司: 北京市磐華律師事務所 11336
• 代理人: 馮永貞

本申請提供了一種半導體器件。半導體器件包括：襯底，具有第一導電類型；淺溝槽隔離結構，設置于所述襯底中且呈第一環形結構，所述襯底被所述淺溝槽隔離結構環繞的區域為有源區；漏極摻雜區，具有第二導電類型，設置于所述有源區的中心區域的上表面；源極摻雜區，具有第二導電類型，設置于所述漏極摻雜區的兩側的所述有源區的上表面，且與所述漏極摻雜區間隔設置；場氧化層，設置于所述有源區內的所述襯底的上表面且呈第二環形結構，并環繞所述漏極摻雜區；柵極多晶，設置于所述襯底的上表面且呈第三環形結構，并環繞所述場氧化層；漂移區，具有第二導電類型，設置于所述襯底中并包圍所述漏極摻雜區。

技術領域

本申請涉及半導體領域，具體而言涉及一種半導體器件。

背景技術

N型橫向雙擴散金屬氧化物半導體(NLDMOS)器件的設計中，在漂移區區域用STI(淺溝槽隔離，shallow trench isolation)幫助耐壓已無法滿足要求，主要原因是：高壓NLDMOS器件，為了滿足高耐壓、低導通電阻的特性需求，勢必要增加漂移區的摻雜濃度；但STI結構由于其自身形貌特點會在拐角(Corner)處產生較大的電場；在高壓應用，特別是耐壓需求大于100V的超高壓應用領域，該電場會造成器件的提前擊穿燒毀以及電學特性的嚴重退化問題，因而在超高壓NLDMOS器件領域具有局限性。

為了解決該問題雖然有一些改進方法，例如將硅局部氧化隔離(Local Oxidationof Silicon)結構取代漂移區的STI結構，輔助器件耐壓；該方法雖可有效幫助器件耐壓提升，但是如何將LOCOS工藝與STI工藝完美結合，降低工藝兼容給器件帶來的不良影響，是目前需要解決的問題。

發明內容

在發明內容部分中引入了一系列簡化形式的概念，這將在具體實施方式部分中進一步詳細說明。本申請的發明內容部分并不意味著要試圖限定出所要求保護的技術方案的關鍵特征和必要技術特征，更不意味著試圖確定所要求保護的技術方案的保護范圍。

為了克服目前存在的至少一個問題，本申請第一方面提供了一種半導體器件，包括：

襯底，具有第一導電類型；

淺溝槽隔離結構，設置于所述襯底中且呈第一環形結構，所述襯底被所述淺溝槽隔離結構環繞的區域為有源區；

漏極摻雜區，具有第二導電類型，所述第一導電類型與所述第二導電類型為相反的導電類型，設置于所述有源區的中心區域的上表面；

源極摻雜區，具有第二導電類型，設置于所述漏極摻雜區的兩側的所述有源區的上表面，且與所述漏極摻雜區間隔設置，所述漏極摻雜區與所述源極摻雜區的連線方向為第一方向，在所述襯底所在平面內且與所述第一方向垂直的方向為第二方向；

場氧化層，設置于所述有源區內的所述襯底的上表面且呈第二環形結構，并環繞所述漏極摻雜區，所述場氧化層的外邊界與所述淺溝槽隔離結構之間有預設間距，所述預設間距大于0；

柵極多晶，設置于所述襯底的上表面且呈第三環形結構，并環繞所述場氧化層，在所述第一方向上，所述柵極多晶從所述源極摻雜區的上方延伸至所述場氧化層的上方，在所述第二方向上，所述柵極多晶從所述淺溝槽隔離結構的上方延伸至所述場氧化層的上方，所述柵極多晶與所述襯底間還設有柵氧化層；

漂移區，具有第二導電類型，設置于所述襯底中并包圍所述漏極摻雜區，且與所述源極摻雜區間隔設置，所述漂移區還沿所述第二方向延伸至所述淺溝槽隔離結構的下方。

可選地，所述有源區在所述第二方向上的延伸區域為器件耐壓區；所述有源區在所述第一方向上的所述漏極摻雜區與所述源極摻雜區之間的區域為器件工作及耐壓區。

可選地，所述場氧化層在所述第一方向上的長度尺寸小于所述場氧化層在所述第二方向上的長度尺寸。

可選地，所述柵極多晶在所述第一方向上的長度尺寸小于所述所述柵極多晶在所述第二方向上的長度尺寸。