[發明專利]一種外延基座以及外延設備在審
| 申請號： | 202011623541.1 | 申請日： | 2020-12-31 |
| 公開（公告）號： | CN114686976A | 公開（公告）日： | 2022-07-01 |
| 發明（設計）人： | 于源源 | 申請（專利權）人： | 上海新昇半導體科技有限公司 |
| 主分類號： | C30B25/12 | 分類號： | C30B25/12;C30B25/18;C30B28/14;H01J37/32 |
| 代理公司： | 北京市磐華律師事務所 11336 | 代理人： | 馮永貞 |
| 地址： | 201306 上海市*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 外延 基座 以及 設備 | ||
1.一種外延基座，其特征在于，所述外延基座包括基座主體，在所述基座主體的一端面上設置有用于承載外延基底的凹槽，所述凹槽外側的所述基座主體包括相互交替設置的若干第一區域和若干第二區域，其中，所述第一區域設置有貫穿所述基座主體的多個孔洞結構。
2.根據權利要求1所述的外延基座，其特征在于，所述基座主體呈圓柱形結構，所述凹槽結構呈圓柱形凹槽，所述凹槽外側所述基座主體呈圓柱環結構。
3.根據權利要求2所述的外延基座，其特征在于，在所述凹槽外側的所述基座主體的圓周上圓心角為0°～30°、60°～120°、150°～210°、240°～300°和330°～360°的區域中至少一個設置為所述第一區域。
4.根據權利要求1所述的外延基座，其特征在于，所述孔洞結構的側壁為豎直或傾斜。
5.根據權利要求1所述的外延基座，其特征在于，所述孔洞結構的側壁與所述基座主體平面之間的夾角為1°-179°。
6.根據權利要求1所述的外延基座，其特征在于，在所述第一區域中所述孔洞結構的密度占比為5％～95％。
7.根據權利要求1所述的外延基座，其特征在于，所述孔洞結構呈圓柱形孔洞。
8.根據權利要求1所述的外延基座，其特征在于，在所述第一區域上設置有若干行和若干列所述孔洞結構。
9.根據權利要求1所述的外延基座，其特征在于，所述基座主體上設置有多個所述第一區域，每個所述第一區域中的所述孔洞結構形狀和/或所述孔洞結構的密度相同或不同。
10.一種外延設備，其特征在于，所述外延設備包括權利要求1至9之一所述的外延基座。
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