[發明專利]半導體裝置的形成方法在審

申請號：	202011622803.2	申請日：	2020-12-31
公開（公告）號：	CN113130313A	公開（公告）日：	2021-07-16
發明（設計）人：	溫明璋;張長昀;陳耿堯;戴振宇;傅依婷	申請（專利權）人：	臺灣積體電路制造股份有限公司
主分類號：	H01L21/28	分類號：	H01L21/28;H01L21/306
代理公司：	隆天知識產權代理有限公司 72003	代理人：	黃艷
地址：	中國臺***	國省代碼：	臺灣;71
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摘要：
搜索關鍵詞：	半導體裝置形成方法
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【權利要求書】：

1.一種半導體裝置的形成方法，包括：

提供一半導體基板；

形成一第一金屬柵極堆疊于該半導體基板的一虛置區中，且該第一金屬柵極堆疊包括一第一功函數金屬層；

形成一第二金屬柵極堆疊于該半導體基板的一主動裝置區中，該第二金屬柵極堆疊包括一第二功函數金屬層，且該第一功函數金屬層與該第二功函數金屬層不同；以及

采用含電荷的多個研磨納米顆粒的一研磨液進行一化學機械研磨制程，其中含電荷的所述研磨納米顆粒在該主動裝置區中的一第一濃度與在該虛置區中的一第二濃度不同，造成該主動裝置區與該虛置區中的研磨速率不同，且其中該化學機械研磨制程之后的該第一金屬柵極堆疊具有一第一高度，而該第二金屬柵極堆疊具有一第二高度，且該第一高度與該第二高度不同。

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