[發明專利]一種氧化物薄膜晶體管式的電阻測量計

在審

• 申請號: 202011621727.3
• 申請日: 2020-12-30
• 公開（公告）號: CN112834823A
• 公開（公告）日: 2021-05-25
• 發明（設計）人: 郭立強;董錢;王偉琳;丁建寧;程廣貴
• 申請（專利權）人: 江蘇大學
• 主分類號: G01R27/14
• 分類號: G01R27/14;H01L29/786
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種氧化物薄膜晶體管式的電阻測量計，其特征在于，所述電阻測量計包括上層的源電極、漏電極和溝道，中間的PVA固態電解質薄膜以及下層的涂有ITO涂層的透明玻璃，將作為柵極的ITO涂層與源電極之間通電，通過雙電層效應，在溝道表面誘導出電子，不同的柵電壓可以誘導出不同數量的電子，從而改變溝道的導電率，即改變溝道的電阻。

2.如權利要求1所述的一種氧化物薄膜晶體管式的電阻測量計，其特征在于，不同的柵電壓指-0.2～1.8V。

3.如權利要求1所述的一種氧化物薄膜晶體管式的電阻測量計，其特征在于，在電路中被測電阻串聯前后，通過調節柵電壓，維持電路中的電流保持不變，則溝道前后阻值差的絕對值即為被測電阻的阻值。

4.如權利要求3所述的一種氧化物薄膜晶體管式的電阻測量計，其特征在于，被測電阻串聯在電路中形成閉合回路時，電源電壓E恒定，被測電阻的阻值為R₀，電壓表的示數為源漏電壓U_ds，此時電路的源漏電流I₀可由晶體管的輸出特性曲線確定，即柵壓與源漏電壓可唯一確定源漏電流，由式可確定溝道的電阻R₁；由式即可確定被測電阻R₀的值。

5.如權利要求1所述的一種氧化物薄膜晶體管式的電阻測量計，其特征在于，所述PVA固態電解質薄膜的制備方法如下：

(1)將PVA顆粒放置于去離子水中充分溶脹；

(2)將溶脹后的PVA溶液置于恒溫磁力攪拌機上，期間持續加熱至100℃，并保持溫度攪拌2h，獲得均勻的透明PVA溶液；

(3)將透明PVA溶液在室溫下進行冷卻靜置；

(4)12小時后，利用膠頭滴管取PVA透明溶液滴涂在ITO透明玻璃片有ITO涂層的表面上；

(5)將涂布好的基片放入恒溫通風烘箱中進行干燥，以獲得均勻的PVA基生物聚合物電解質膜。

6.如權利要求1所述的一種氧化物薄膜晶體管式的電阻測量計，其特征在于，在氬氣環境中，利用定制鎳合金金屬掩膜板，將ITO源電極、漏電極和溝道濺射到PVA固態電解質薄膜上，磁控濺射過程中，由于邊緣繞射效應，可在源電極與漏電極之間獲得一個自組裝薄膜ITO溝道，從而構成氧化薄膜晶體管。