[發明專利]一種用于X射線與軟X射線波段的濾片及其制備方法有效
| 申請號： | 202011620922.4 | 申請日： | 2020-12-31 |
| 公開（公告）號： | CN112820439B | 公開（公告）日： | 2023-01-06 |
| 發明（設計）人： | 陳溢祺;朱憶雪;張秀霞;金宇;朱東風;朱運平;金長利 | 申請（專利權）人： | 蘇州聞道電子科技有限公司 |
| 主分類號： | G21K1/10 | 分類號： | G21K1/10;C23C14/06;C23C14/12;C23C14/20;C23C14/24;C23C14/35 |
| 代理公司： | 北京化育知識產權代理有限公司 11833 | 代理人： | 涂琪順 |
| 地址： | 215400 江蘇省蘇州市*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 用于 射線 波段 及其 制備 方法 | ||
1.一種用于X射線與軟X射線波段的濾片，其特征在于，具體為依次交替層疊設置的Sc層和B4C層；每層Sc層的厚度為200～300nm，每層B4C層的厚度為20～40nm。
2.根據權利要求1所述的濾片，其特征在于，所述交替層疊的周期數為10～30次。
3.根據權利要求1所述的濾片，其特征在于，所述濾片還包括自支撐膜。
4.根據權利要求3所述的濾片，其特征在于，所述自支撐膜為聚酰亞胺膜。
5.根據權利要求3或4所述的濾片，其特征在于，所述自支撐膜的厚度為1.7±0.5μm。
6.根據 權利要求1～5任一項所述的濾片的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：
采用熱蒸發法在硅片拋光面上沉積聚酰亞胺膜，然后將所述硅片的非拋光面刻蝕，露出所述聚酰亞胺膜，再用磁控濺射法在所述露出的聚酰亞胺膜表面依次進行Sc層和B4C層的磁控濺射鍍膜，得到所述濾片。
7.根據 權利要求1～5任一項所述的濾片的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：
采用熱蒸發法在硅片拋光面上沉積聚酰亞胺膜，然后用磁控濺射法在所述聚酰亞胺膜表面依次進行Sc層和B4C層的磁控濺射鍍膜，得到所述濾片。
8.根據權利要求6或7所述的制備方法，其特征在于，所述磁控濺射鍍膜使用Sc靶和B4C靶，所述Sc靶的濺射功率為60W，所述B4C靶的濺射功率為120W。
9.根據權利要求6或7所述的制備方法，其特征在于，所述磁控濺射鍍膜的濺射氣壓為0.1～0.5Pa。
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