[發(fā)明專利]一種基于金屬微納結(jié)構(gòu)的雙通道全光吸收器

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202011620429.2
• 申請(qǐng)日: 2020-12-31
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN112630874A
• 公開(kāi)（公告）日: 2021-04-09
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 郭玲;葉帆風(fēng);郭夢(mèng)冉;銀珊;馬峻
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 桂林電子科技大學(xué)
• 主分類號(hào): G02B5/00
• 分類號(hào): G02B5/00
• 代理公司: 桂林文必達(dá)專利代理事務(wù)所(特殊普通合伙) 45134
• 代理人: 張學(xué)平

1.一種基于金屬微納結(jié)構(gòu)的雙通道全光吸收器，其特征在于：包括金屬襯底(1)；所述金屬襯底(1)上方設(shè)置有三層混合介質(zhì)結(jié)構(gòu)(2)；

所述混合介質(zhì)結(jié)構(gòu)(2)包括高折射率介質(zhì)層(22)和低折射率介質(zhì)層(21)；所述低折射率介質(zhì)層(21)位于高折射率介質(zhì)層(22)上方；所述高折射率介質(zhì)層(22)和低折射率介質(zhì)層(21)固定連接；

最頂層的混合介質(zhì)結(jié)構(gòu)(2)上的低折射率介質(zhì)層(21)上設(shè)置有陣列分布的十字臂結(jié)構(gòu)(3)；且所述十字臂結(jié)構(gòu)(3)與低折射率介質(zhì)層(21)固定連接；最底層的混合介質(zhì)結(jié)構(gòu)(2)上的高折射率介質(zhì)層(22)與金屬襯底(1)固定連接；相鄰兩層混合介質(zhì)結(jié)構(gòu)(2)中上層混合介質(zhì)結(jié)構(gòu)的高折射率介質(zhì)層(22)與下層混合介質(zhì)結(jié)構(gòu)的低折射率介質(zhì)層(21)固定連接。

2.如權(quán)利要求1所述的基于金屬微納結(jié)構(gòu)的雙通道全光吸收器，其特征在于：所述十字臂結(jié)構(gòu)(3)的橫桿長(zhǎng)度b為500-600nm，橫桿寬度a為35-55nm，橫桿高度h范圍為85-115nm，周期P為600-800nm。

3.如權(quán)利要求2所述的基于金屬微納結(jié)構(gòu)的雙通道全光吸收器，其特征在于：所述金屬襯底(1)采用貴金屬基底。

4.如權(quán)利要求3所述的基于金屬微納結(jié)構(gòu)的雙通道全光吸收器，其特征在于：所述十字臂結(jié)構(gòu)(3)采用金屬鍺十字結(jié)構(gòu)。

5.如權(quán)利要求4所述的基于金屬微納結(jié)構(gòu)的雙通道全光吸收器，其特征在于：所述低折射率介質(zhì)層(21)厚度為10-30nm，且折射率大于1；所述高折射率介質(zhì)層(22)的厚度為20-40nm，所述高折射率介質(zhì)層(22)的折射率比低折射率介質(zhì)層(21)的折射率高0.2及以上。

6.如權(quán)利要求5所述的基于金屬微納結(jié)構(gòu)的雙通道全光吸收器，其特征在于：所述金屬襯底(1)的厚度為2000nm以上。