[發明專利]一種晶體材料區熔提純裝置在審
| 申請號: | 202011620409.5 | 申請日: | 2020-12-31 |
| 公開(公告)號: | CN112877785A | 公開(公告)日: | 2021-06-01 |
| 發明(設計)人: | 羅亞南;郭關柱 | 申請(專利權)人: | 云南農業大學 |
| 主分類號: | C30B35/00 | 分類號: | C30B35/00 |
| 代理公司: | 北京隆達恒晟知識產權代理有限公司 11899 | 代理人: | 楊青 |
| 地址: | 650201 云南省昆*** | 國省代碼: | 云南;53 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 晶體 材料 提純 裝置 | ||
1.一種晶體材料區熔提純裝置,其特征在于:所述的晶體材料區熔提純裝置包括機架(1)、支撐板(2)、導桿(3)、支撐滑座(4)、伺服驅動裝置(5)、支撐座(6)、移動式區熔加熱裝置(7)、透明防護罩(8)、密封法蘭盤(9)、石英管(10)、分支管路(11)、主管路(12)、支管開關閥(13)、真空泵(14)、真空開關閥(15)、密封蓋(16)、真空管(17),所述的機架(1)的頂部安裝有兩套平行的支撐板(2),兩個支撐板(2)上安裝有兩根根導桿(3),導桿(3)上安裝有一個支撐滑座(4),支撐座(6)安裝在兩個支撐滑座(4)上,支撐座(6)的底部與安裝在機架(1)頂部的伺服驅動裝置(5)連接,支撐座(6)的頂部至少安裝有兩套移動式區熔加熱裝置(7),移動式區熔加熱裝置(7)的中部開設一個加熱孔;機架(1)的頂部安裝有一個透明防護罩(8),透明防護罩(8)的兩側壁上安裝有與每套移動式區熔加熱裝置(7)正對的成對密封法蘭盤(9),成對的密封法蘭盤(9)中心孔與相應的移動式區熔加熱裝置(7)上的加熱孔在一條直線上,石英管(10)穿過相應的移動式區熔加熱裝置(7)上的加熱孔后期兩端固定在密封法蘭盤(9)上,石英管(10)的開口端設置有密封蓋(16),密封蓋(16)上設置有分支管路(11),分支管路(11)與主管路(12)連通,分支管路(11)上設置有支管開關閥(13),主管路(12)與真空管(17)連接,真空管(17)與真空泵(14)連接,真空管(17)上設置有真空開關閥(15),真空開關閥(15)、支管開關閥(13)與PLC控制器(22)連接,PLC控制器(22)與真空泵(14)連接。
2.根據權利要求1所述的一種晶體材料區熔提純裝置,其特征在于:所述的移動式區熔加熱裝置(7)包括加熱罩體(18)、保溫隔熱層(19)、加熱電偶(20)、加熱套(31),所述的加熱罩體(18)安裝在支撐座(6)上,加熱罩體(18)的中部開設有加熱孔,加熱罩體(18)內腔靠近加熱孔一側內壁上為加熱套(31),加熱套(31)固定在加熱罩體(18)上,加熱罩體(18)的內壁上設置有保溫隔熱層(19),保溫隔熱層(19)與加熱套(31)之間的空腔內安裝有加熱電偶(20),加熱罩體(18)的加熱孔兩端壁上開設有導熱孔(34)。
3.根據權利要求2所述的一種晶體材料區熔提純裝置,其特征在于:所述的溫隔熱層(19)與加熱套(31)之間的空腔中安裝有溫度傳感器(32),溫度傳感器(32)與PLC控制器(22)連接,PLC控制器(22)通過繼電器與加熱電偶(20)連接。
4.根據權利要求1-3任意一項所述的一種晶體材料區熔提純裝置,其特征在于:所述的主管路(12)上設置有氫氣管道(23),氫氣管道(23)與氫氣罐(24)連接,氫氣管道(23)上設置有氫氣開關閥(25),氫氣開關閥(25)通過PLC控制器(22)控制。
5.根據權利要求1-4任意一項所述的一種晶體材料區熔提純裝置,其特征在于:所述的主管路(12)上設置有氮氣管道(27),氮氣管道(27)與氮氣罐(26)連接,氮氣管道(27)上設置有氮氣開關閥(28),氮氣開關閥(28)與PLC控制器(22)控制連接。
6.根據權利要求1-5任意一項所述的一種晶體材料區熔提純裝置,其特征在于:透明防護罩(8)內腔、連接管路和開關閥與密封法蘭等附近設置有氫氣泄漏傳感器(36),氫氣泄漏傳感器(36)與PLC控制器(22)連接,PLC控制器(22)與報警燈(37)連接。
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