[發明專利]一種采用低溫介入的半導體材料粉碎裝置及方法

有效

• 申請號: 202011620132.6
• 申請日: 2020-12-30
• 公開（公告）號: CN112827610B
• 公開（公告）日: 2022-07-26
• 發明（設計）人: 吳銀雪
• 申請（專利權）人: 東和半導體設備研究開發（蘇州）有限公司
• 主分類號: B02C19/18
• 分類號: B02C19/18;B02C1/00;B02C23/00
• 代理公司: 泉州市興博知識產權代理事務所(普通合伙) 35238
• 代理人: 易敏

本發明公開了一種采用低溫介入的半導體材料粉碎裝置及方法，包括從左到右并排設置的第一底架和第二底架，第二底架頂部的右側設置有一次粉碎機構，第一底架內壁的底部設置有低溫介入機構，第一底架內壁上方的兩側均轉動連接有轉軸，本發明涉及半導體材料加工技術領域。該采用低溫介入的半導體材料粉碎裝置及方法，通過在第二底架頂部的右側設置一次粉碎機構，第一底架內壁的底部設置低溫介入機構，利用低溫介入機構中的低溫箱、冷凝器、控制箱和導線，可以先行對半導體材料進行脆化處理，后續粉碎過程更加容易進行，配合一次粉碎機構進行粉碎箱內的往復碾壓過程，對半導體材料的初步粉碎過程，減少粉碎時間，提升粉碎效率。

技術領域

本發明涉及半導體材料加工技術領域，具體為一種采用低溫介入的半導體材料粉碎裝置及方法。

背景技術

半導體指常溫下導電性能介于導體與絕緣體之間的材料；半導體在集成電路、消費電子、通信系統、光伏發電、照明、大功率電源轉換等領域都有應用，如二極管就是采用半導體制作的器件。

參考中國專利，一種半導體材料粉碎裝置（公開號：CN206996775U、公開日：2018-02-13），該半導材料粉碎裝置，通過設置磨盤、磨板、凸起和凹槽，達到了對半導體材料的研磨破碎，研磨破碎使破碎的更徹底，破碎成完全的粉末狀，通過防護罩，達到了防止磨盤轉動使破碎后的粉末飛出收集范圍，通過設置凸起和凹槽為三角形，達到了對材料的徹底破碎，同時研磨破碎效率高，節省了人力物力；

參考中國專利，一種半導體材料粉碎裝置（公開號：CN204564206U、公開日：2015-08-19），利用升降裝置來帶動粉碎板重復進行上升或下降的過程，使粉碎板對粉碎槽內的母合金進行破碎處理，機械化操作，可以避免破碎的不均勻性，產能可提高一倍以上，既減少了人工費用又減少了母合金的浪費，降低了生產成本和能源消耗。同時可以解決人工破碎時操作人員容易受傷的難題。

但是現有的半導體材料粉碎過程仍存在下列問題：

1、現有的半導體材料粉碎過程，由于半導體材料本身硬度較高，導致后續粉碎過程不容易進行，并且半導體材料單次粉碎的時間較長，導致半導體材料粉碎效率較低；

2、現有的半導體材料粉碎過程，單次粉碎半導體材料的過程，不能很好的去除半導體材料中結塊顆粒，而采用多次相同的粉碎操作會導致半導體材料接觸位置難以發生改變，粉碎的精度較低；

3、現有的半導體材料粉碎過程，粉碎的空間較大，導致半導體材料中間部分難以進行很好的粉碎處理，并且需要借助人工進行下料，浪費大量的人力，智能化程度低。

為此，本發明提出了一種采用低溫介入的半導體材料粉碎裝置及方法，以解決上述提到的問題。

發明內容

（一）解決的技術問題

針對現有技術的不足，本發明提供了一種采用低溫介入的半導體材料粉碎裝置及方法，解決了現有的半導體材料粉碎過程，半導體材料本身硬度較高，導致后續粉碎過程不容易進行，粉碎效率較低，粉碎的精度較低，粉碎的空間較大，并且需要借助人工進行下料的問題。

（二）技術方案