[發明專利]無應力碳化硅籽晶固定裝置、坩堝及碳化硅籽晶固定方法

在審

• 申請號: 202011619910.X
• 申請日: 2020-12-30
• 公開（公告）號: CN114686984A
• 公開（公告）日: 2022-07-01
• 發明（設計）人: 胡小波;徐南;張木青;楊祥龍;于國建;陳秀芳;王垚浩;徐現剛
• 申請（專利權）人: 廣州南砂晶圓半導體技術有限公司
• 主分類號: C30B29/36
• 分類號: C30B29/36;C30B23/02
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種無應力碳化硅籽晶固定裝置，其特征在于，包括籽晶托和籽晶蓋，其中：

所述籽晶托為中部掏空的環形結構，沿其中軸線方向依次包括籽晶支撐部、籽晶容納部、籽晶蓋容納部；

所述籽晶支撐部的內周形狀與籽晶的外周形狀相同，所述籽晶支撐部的中心至其小邊的距離小于所述籽晶的中心至其小邊的距離，所述籽晶支撐部的中心至其大邊的距離小于所述籽晶的中心至其大邊的距離，所述籽晶支撐部的內徑小于所述籽晶的外徑；

所述籽晶容納部的內徑大于所述籽晶的外徑，所述籽晶容納部的高度大于所述籽晶的厚度；

所述籽晶蓋容納部的內徑與所述籽晶蓋的外徑相匹配，所述籽晶蓋為可拆卸裝入所述籽晶蓋容納部。

2.根據權利要求1所述的無應力碳化硅籽晶固定裝置，其特征在于，所述籽晶容納部的內周形狀與所述籽晶的外周形狀相同，所述籽晶容納部的中心至其小邊的距離大于所述籽晶的中心至其小邊的距離，所述籽晶容納部的中心至其大邊的距離大于所述籽晶的中心至其大邊的距離。

3.根據權利要求1所述的無應力碳化硅籽晶固定裝置，其特征在于，所述籽晶蓋容納部的高度等于所述籽晶蓋的厚度。

4.根據權利要求1所述的無應力碳化硅籽晶固定裝置，其特征在于，所述籽晶蓋容納部的內徑大于所述籽晶容納部的內徑。

5.根據權利要求1所述的無應力碳化硅籽晶固定裝置，其特征在于，由所述籽晶蓋容納部至所述籽晶支撐部的方向，所述籽晶支撐部的內徑逐漸增大。

6.根據權利要求1或5所述的無應力碳化硅籽晶固定裝置，其特征在于，所述籽晶支撐部的高度為0.5～1mm。

7.根據權利要求1所述的無應力碳化硅籽晶固定裝置，其特征在于，所述籽晶支撐部的中心至其小邊的距離比所述籽晶的中心至其小邊的距離小0.5～1mm，所述籽晶支撐部的中心至其大邊的距離比所述籽晶的中心至其大邊的距離小0.5～1mm，所述籽晶支撐部的內徑比所述籽晶的外徑小1～2mm。

8.根據權利要求2所述的無應力碳化硅籽晶固定裝置，其特征在于，所述籽晶容納部的中心至其小邊的距離比所述籽晶的中心至其小邊的距離大0.05～0.1mm，所述籽晶容納部的中心至其大邊的距離比所述籽晶的中心至其大邊的距離大0.05～0.1mm，所述籽晶容納部的內徑比所述籽晶的外徑大0.1～0.2mm，所述籽晶容納部的高度比所述籽晶的厚度大0.2～0.5mm。

9.一種坩堝，其特征在于，所述坩堝的內壁上設置有支撐件，所述支撐件用于支撐權利要求1至8任一所述的無應力碳化硅籽晶固定裝置。

10.一種碳化硅籽晶固定方法，其特征在于，利用權利要求1至8任一所述的無應力碳化硅籽晶固定裝置，所述方法包括：

在籽晶的背部制備一層保護層；

將所述籽晶裝入籽晶托的籽晶容納部中，其中，所述籽晶和所述保護層的厚度之和小于所述籽晶容納部的高度；

將籽晶蓋裝入所述籽晶托的籽晶蓋容納部。