[發明專利]一種基于諧振器的刻蝕終點檢測系統和方法在審
| 申請號: | 202011619730.1 | 申請日: | 2020-12-31 |
| 公開(公告)號: | CN112820661A | 公開(公告)日: | 2021-05-18 |
| 發明(設計)人: | 張忠山;李俊杰 | 申請(專利權)人: | 中國科學院物理研究所 |
| 主分類號: | H01L21/66 | 分類號: | H01L21/66;H01L21/67 |
| 代理公司: | 北京市正見永申律師事務所 11497 | 代理人: | 黃小臨;馮玉清 |
| 地址: | 100190 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 基于 諧振器 刻蝕 終點 檢測 系統 方法 | ||
1.一種基于諧振器的刻蝕終點檢測系統,其特征在于,所述檢測系統包括:
諧振器,被放置在刻蝕腔體中并與待刻蝕樣品一起被刻蝕;
檢測器,與所述諧振器相連接,用于檢測并輸出所述諧振器的參數;和
比較器,與所述檢測器相連接,用于接收并比較所述諧振器的參數與預設值。
2.根據權利要求1所述的基于諧振器的刻蝕終點檢測系統,其特征在于,
所述檢測系統還包括人機接口,其與所述比較器相連接,用于向所述比較器提供預設值。
3.根據權利要求1所述的基于諧振器的刻蝕終點檢測系統,其特征在于,
所述檢測器包含:
采集電路,與所述諧振器相連接,用于采集并輸出所述諧振器的諧振頻率,和
轉換電路,與所述采集電路和所述比較電路相連接,用于接收所采集的諧振器的諧振頻率,獲取所述諧振器的諧振頻率的變化值并將所述諧振頻率的變化值轉換成所述諧振器的刻蝕深度值。
4.根據權利要求1所述的基于諧振器的刻蝕終點檢測系統,其特征在于,
所述檢測器包含:
采集電路,與所述諧振器相連接,用于采集所述諧振器的諧振頻率,并獲取和輸出所述諧振器的諧振頻率的變化值,和
轉換電路,與所述采集電路和所述比較電路相連接,用于接收并轉換所采集的諧振器的諧振頻率的變化值轉換成所述諧振器的刻蝕深度值。
5.根據權利要求1所述的基于諧振器的刻蝕終點檢測系統,其特征在于,
所述諧振器的被刻蝕區域的材料與所述樣品的材料相同。
6.根據權利要求1所述的基于諧振器的刻蝕終點檢測系統,其特征在于,
所述諧振器包含被放置在其上的半導體薄膜材料。
7.根據權利要求1所述的基于諧振器的刻蝕終點檢測系統,其特征在于,
所述諧振器包含被沉積在其上的半導體薄膜材料。
8.一種基于諧振器的刻蝕終點檢測方法,其特征在于,所述檢測方法包括:
在刻蝕腔體中同時刻蝕諧振器與待刻蝕的樣品;
檢測所述諧振器的參數;和
比較所述諧振器的參數與預設值。
9.根據權利要求8所述的基于諧振器的刻蝕終點檢測方法,其特征在于,
檢測所述諧振器的參數,包括:
檢測所述諧振器的頻率變化值;和
將所述諧振器的頻率變化值轉換成所述諧振器的刻蝕深度值。
10.根據權利要求9所述的基于諧振器的刻蝕終點檢測方法,其特征在于,
所述檢測所述諧振器的頻率變化值,包括:
在所述諧振器被刻蝕前,檢測所述諧振器的初始諧振頻率;和
在所述諧振器被刻蝕后,檢測所述諧振器的諧振頻率并得到諧振頻率變化值。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





