[發明專利]一種圖像傳感器及其制造方法

在審

• 申請號: 202011619502.4
• 申請日: 2020-12-30
• 公開（公告）號: CN112864181A
• 公開（公告）日: 2021-05-28
• 發明（設計）人: 王欣洋;馬成;姜濤
• 申請（專利權）人: 長春長光辰芯光電技術有限公司
• 主分類號: H01L27/146
• 分類號: H01L27/146
• 代理公司: 長春中科長光知識產權代理事務所(普通合伙) 22218
• 代理人: 高一明;郭婷

1.一種圖像傳感器的制造方法，包括：

S1、在半導體襯底上依次形成氧化物薄膜層和氮化物薄膜層；

S2、在所述半導體襯底、所述氧化物薄膜層和所述氮化物薄膜層中形成溝道，所述溝道貫穿所述半導體襯底、所述氧化物薄膜層和所述氮化物薄膜層；

S3、在所述溝道的側壁上形成N型離子摻雜區；

S4、在所述N型離子摻雜區的側壁上形成P型離子摻雜區，且所述P型離子摻雜區的深度比所述N型離子摻雜區的深度深；

S5、沉積所述氧化物薄膜層。

2.根據權利要求1所述的制造方法，其特征在于，在步驟S1中，所述氮化物薄膜層上還形成有TEOS薄膜層。

3.根據權利要求1所述的制造方法，其特征在于，步驟S5包括，沉積所述氧化物薄膜層，以使得所述溝道內填充有氧化物以形成隔離層。

4.根據權利要求1所述的制造方法，其特征在于，在步驟S3中，所述N型離子摻雜區的數量為一個或多個。

5.根據權利要求4所述的制造方法，其特征在于，在步驟S4中，當所述N型離子摻雜區的數量為一個時，所述P型離子摻雜區位于所述N型離子摻雜區和所述溝道之間；當所述N型離子摻雜區的數量為多個時，所述P型離子摻雜區的數量和所述N型離子摻雜區的數量一樣，且每個所述N型離子摻雜區的側壁上都形成有一個P型離子摻雜區。

6.根據權利要求1所述的制造方法，其特征在于，還包括：

S6、蝕刻所述氮化物薄膜層，并通過拋光法將所述氧化物薄膜層進行平面化。

7.根據權利要求6所述的制造方法，其特征在于，還包括：

S7、在所述氧化物薄膜層上沉積導電層。

8.根據權利要求6所述的制造方法，其特征在于，還包括：所述氧化物薄膜層上形成有柵電極，在所述柵電極的兩側形成有澆口側壁隔片，所述澆口側壁隔片的截面的形狀為類直角梯形。

9.根據權利要求1所述的制造方法，其特征在于，當所述N型離子摻雜區的數量為多個時，每兩個N型離子摻雜區之間形成有光電二極管區，且所述光電二極管區的深度和所述N型離子摻雜區的深度一樣。

10.一種圖像傳感器，其特征在于，其為通過權利要求1-11中的任一項所述的制造方法制造而成。