[發明專利]一種晶圓尋邊設備及尋邊方法

在審

• 申請號: 202011619095.7
• 申請日: 2020-12-31
• 公開（公告）號: CN114695164A
• 公開（公告）日: 2022-07-01
• 發明（設計）人: 郭挑遠;高建峰;劉衛兵;丁云凌
• 申請（專利權）人: 中國科學院微電子研究所;真芯（北京）半導體有限責任公司
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67;H01L21/68
• 代理公司: 北京華沛德權律師事務所 11302
• 代理人: 房德權

本發明提供一種晶圓尋邊設備及尋邊方法，包括：承載托盤放置在承載臺上，承載托盤上設置有多個噴吹孔；承載臺的內部設置有吹掃管道，吹掃管道用于噴發吹掃氣體；吹掃管道包括邊緣吹掃管道及中部吹掃管道，邊緣吹掃管道與承載臺的承載面之間具有預設的夾角；吹掃氣體從夾角對應的管道中吹出作用于晶圓底面，使晶圓在承載托盤上方懸浮并旋轉；如此，當需要對晶圓進行尋邊時，吹掃氣體使晶圓懸浮在承載托盤上方并旋轉，在尋邊過程中，晶圓是懸浮在承載托盤上方的，晶圓背面并沒有和承載托盤直接接觸，即使有某個晶圓背面被污染，也不會將污染物傳遞至托盤進而污染其他晶圓，避免處理腔室被污染，從而避免誘發晶圓出現顆粒，確保晶圓良率。

技術領域

本發明屬于半導體晶圓制造技術領域，尤其涉及一種晶圓尋邊設備及尋邊方法。

背景技術

半導體行業往往通過缺口(notch)來確定硅片的位置，實現硅片對邊。缺口是指特意在晶圓上形成的一個缺角。

現有技術中在尋找晶圓的缺口時，將晶圓傳送至晶圓尋邊機構的托盤上，啟動中心旋轉托盤電機并帶動晶圓快速旋轉，在旋轉過程中利用CCD相機尋找晶圓缺口。

為了避免在旋轉過程中，出現晶圓脫離的現象，一般是利用真空將晶圓吸附在旋轉托盤上，但是若某個晶圓背面被污染時，會將污染物傳遞至旋轉托盤上，當其他晶圓放置在旋轉托盤上尋邊時，其他晶圓也會被污染。被污染的晶圓進而會污染處理腔內部的加熱器，從而誘發晶圓顆粒，導致晶圓不良。

發明內容

針對現有技術存在的問題，本發明實施例提供了一種晶圓尋邊設備及尋邊方法，用于解決現有技術中對晶圓進行尋邊時，被污染的晶圓會污染處理腔室，導致晶圓不良的技術問題。

本發明提供一種晶圓尋邊設備，所述設備包括：

承載托盤，放置在承載臺上，所述承載托盤用于承載晶圓，所述承載托盤上設置有多個噴吹孔；

承載臺，所述承載臺的內部設置有吹掃管道，所述吹掃管道用于噴發吹掃氣體，所述吹掃氣體能透過所述噴吹孔；所述吹掃管道包括邊緣吹掃管道及中部吹掃管道，所述邊緣吹掃管道與所述承載臺的承載面之間具有預設的夾角；所述吹掃氣體從所述夾角對應的管道中吹出，作用于所述晶圓底面，以使所述晶圓懸浮在所述承載托盤上方并在所述承載托盤上方旋轉。

可選的，所述預設的夾角為45°。

可選的，所述設備還包括：

流量控制器，與所述吹掃管道相連，所述流量控制器用于控制所述吹掃氣體的吹掃流量及吹掃速度。

可選的，所述邊緣吹掃管道包括：

第一邊緣吹掃管道，安裝在所述承載臺的一側；

第二邊緣吹掃管道，安裝在所述承載臺的另一側；所述第一邊緣吹掃管道的吹掃方向與所述第二邊緣吹掃管道的吹掃方向使得所述晶圓在所述承載托盤上方懸浮并旋轉。

可選的，所述吹掃氣體包括AR、N₂及空氣中的至少一種。

可選的，所述噴吹孔的數量為1～100個。

可選的，所述晶圓的懸浮高度為1～100mm。

可選的，所述吹掃氣體的流量為1sccm～100LPM。

可選的，所述吹掃氣體的速度為1～1000RPM。