[發明專利]發光二極管外延片制備方法在審
| 申請號： | 202011618787.X | 申請日： | 2020-12-31 |
| 公開（公告）號： | CN112786749A | 公開（公告）日： | 2021-05-11 |
| 發明（設計）人： | 曹陽;王群;梅勁 | 申請（專利權）人： | 華燦光電（浙江）有限公司 |
| 主分類號： | H01L33/06 | 分類號： | H01L33/06;H01L33/14;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京三高永信知識產權代理有限責任公司 11138 | 代理人： | 呂耀萍 |
| 地址： | 322000 浙江省*** | 國省代碼： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 發光二極管 外延 制備 方法 | ||
1.一種發光二極管外延片，其特征在于，所述發光二極管外延片包括襯底及依次層疊在所述襯底上的n型GaN層、復合層、多量子阱層及p型GaN層，
所述復合層包括依次層疊在所述n型GaN層上的AgGaN子層與AlGaN子層。
2.根據權利要求1所述的發光二極管外延片，其特征在于，所述AgGaN子層的厚度為20～50nm。
3.根據權利要求1所述的發光二極管外延片，其特征在于，所述AgGaN子層的厚度與所述AlGaN子層的厚度之比為1:1～1:2。
4.根據權利要求1～3任一項所述的發光二極管外延片，其特征在于，所述復合層的厚度為100～200nm。
5.一種發光二極管外延片制備方法，其特征在于，所述發光二極管外延片制備方法包括：
提供一襯底；
在所述襯底上生長n型GaN層；
在所述n型GaN層上生長復合層，所述復合層包括依次層疊在所述n型GaN層上的AgGaN子層與AlGaN子層；
在所述復合層上生長多量子阱層；
在所述多量子阱層上生長p型GaN層。
6.根據權利要求5所述的發光二極管外延片制備方法，其特征在于，所述在所述n型GaN層上生長復合層，包括：
在所述n型GaN層上沉積一層Ag薄膜；
向反應腔內通入Ga源與氨氣，所述Ga源、所述氨氣與Ag薄膜反應直至形成所述AgGaN子層；
在所述AgGaN子層上生長所述AlGaN子層。
7.根據權利要求6所述的發光二極管外延片制備方法，其特征在于，所述Ag薄膜的生長厚度為20～50。
8.根據權利要求6所述的發光二極管外延片制備方法，其特征在于，向反應腔內通入流量為100～200sccm的Ga源與流量為50～100L的氨氣，所述Ga源、所述氨氣與Ag薄膜反應直至形成所述AgGaN子層。
9.根據權利要求6～8任一項所述的發光二極管外延片制備方法，其特征在于，所述Ag薄膜的生長溫度為100～300℃，所述Ag薄膜的生長壓力為1～5Pa。
10.根據權利要求6～8任一項所述的發光二極管外延片制備方法，其特征在于，在反應腔的溫度為800～900℃的條件下，向反應腔內通入Ga源與氨氣，所述Ga源、所述氨氣與Ag薄膜反應直至形成所述AgGaN子層。
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