[發(fā)明專利]顯示面板及顯示裝置有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 202011615693.7 | 申請日: | 2020-12-30 |
| 公開(公告)號: | CN112736093B | 公開(公告)日: | 2022-10-04 |
| 發(fā)明(設計)人: | 孫佳佳 | 申請(專利權)人: | 武漢華星光電半導體顯示技術有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/12 | 分類號: | H01L27/12;H01L27/32 |
| 代理公司: | 深圳紫藤知識產權代理有限公司 44570 | 代理人: | 裴磊磊 |
| 地址: | 430079 湖北省武漢市東湖新技術*** | 國省代碼: | 湖北;42 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 顯示 面板 顯示裝置 | ||
1.一種顯示面板,所述顯示面板包括陣列基板、設于所述陣列基板上的發(fā)光功能層及在所述陣列基板上覆蓋所述發(fā)光功能層的封裝層,其特征在于:
所述顯示面板內設有貫穿其上下表面的開孔;
所述封裝層包括至少一無機封裝層,所述無機封裝層延伸至所述開孔;
所述陣列基板在所述開孔的外圍設置有至少一第一隔斷槽以及至少一第二隔斷槽,所述第一隔斷槽和所述第二隔斷槽均包括相互貫通的孔部和槽部,所述孔部位于所述槽部的朝向所述發(fā)光功能層的一側,所述孔部的側壁比所述槽部的側壁朝向槽部的中心突出,所述孔部的側壁比所述槽部的側壁朝向所述槽部的中心突出距離L,所述槽部具有一厚度H,并且:
所述第一隔斷槽的距離L與所述厚度H的比值具有一第一預設比值,所述第二隔斷槽的距離L與所述厚度H的比值具有一第二預設比值,所述發(fā)光功能層延伸至所述開孔,所述第一預設比值使得所述發(fā)光功能層和所述無機封裝層在所述第一隔斷槽處斷開;
所述第二隔斷槽的距離L與所述厚度H的比值具有一第二預設比值,所述第一預設比值大于所述第二預設比值,所述第二預設比值僅使得所述發(fā)光功能層在所述第二隔斷槽處斷開。
2.如權利要求1所述的顯示面板,其特征在于,所述第二隔斷槽位于所述第一隔斷槽的遠離所述開孔的一側。
3.如權利要求1所述的顯示面板,其特征在于,所述陣列基板包括襯底基板以及設置于所述襯底基板的上的多層絕緣層以及設于所述多層絕緣層間的金屬層,其中:
所述多層絕緣層在所述開孔的外圍還具有至少一鏤空區(qū)域,所述發(fā)光功能層和所述無機封裝層的對應于所述鏤空區(qū)域的區(qū)域設置于所述襯底基板上;
所述第一隔斷槽和所述第二隔斷槽形成于所述襯底基板上并位于所述襯底基板的對應于所述鏤空區(qū)域的區(qū)域內。
4.如權利要求3所述的顯示面板,其特征在于,所述襯底基板沿其厚度方向包括依次層疊的第一阻擋層、第一柔性層、第二阻擋層和第二柔性層,其中:
所述第一阻擋層與所述多層絕緣層接觸,所述第一隔斷槽和所述第二隔斷槽形成于所述第一阻擋層和所述第一柔性層。
5.如權利要求1所述的顯示面板,其特征在于,所述陣列基板在所述開孔的外圍還包括至少一擋墻,所述擋墻位于所述第一隔斷槽遠離所述開孔的一側;
并且,所述擋墻位于所述第二隔斷槽的外圍,或者位于相鄰的所述第二隔斷槽之間。
6.如權利要求1所述的顯示面板,其特征在于,所述顯示面板還包括位于所述發(fā)光功能層和所述封裝層之間的陰極層;
所述陰極層延伸至所述開孔,并且所述陰極層在所述第一隔斷槽和所述第二隔斷槽處斷開。
7.如權利要求1至6中任一項所述的顯示面板,其特征在于,所述封裝層在遠離所述發(fā)光功能層方向上包括依次層疊的第一無機封裝層、有機封裝層和第二無機封裝層,其中:
所述第一無機封裝層和所述第二無機封裝層均延伸至所述開孔并在所述第一隔斷槽處隔斷;
所述有機封裝層在所述第一隔斷槽的遠離所述開孔的一側具有一端點。
8.一種顯示裝置,其特征在于,所述顯示裝置包括權利要求1-7中任一項所述的顯示面板。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于武漢華星光電半導體顯示技術有限公司,未經武漢華星光電半導體顯示技術有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權和技術合作,請聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/202011615693.7/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





