[發(fā)明專利]成膜裝置和成膜方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202011614942.0
• 申請(qǐng)日: 2020-12-31
• 公開（公告）號(hào): CN113088903A
• 公開（公告）日: 2021-07-09
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 石橋翔太;戶島宏至;巖下浩之;平澤達(dá)郎
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 東京毅力科創(chuàng)株式會(huì)社
• 主分類號(hào): C23C14/35
• 分類號(hào): C23C14/35;C23C14/16;C23C14/50;C23C14/54;H01L21/283
• 代理公司: 北京林達(dá)劉知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11277
• 代理人: 劉新宇;張會(huì)華

本發(fā)明提供成膜裝置和成膜方法。該成膜裝置包括：靶保持件，其以靶朝向基板且靶沿水平面內(nèi)的預(yù)定的方向延伸的方式在正面保持靶；磁體單元，其具有通過排列磁體而構(gòu)成的磁體排列體，設(shè)于靶保持件的背面?zhèn)龋灰粚?duì)遮蔽構(gòu)件，其在被靶保持件保持的靶與基板之間以自靶朝向基板延伸的方式設(shè)置；和移動(dòng)機(jī)構(gòu)，其使磁體單元以在被靶保持件保持的靶的預(yù)定的方向上的一端與另一端之間進(jìn)行往復(fù)運(yùn)動(dòng)的方式移動(dòng)，磁體單元以磁體排列體沿著預(yù)定的方向并列的方式設(shè)有一對(duì)，遮蔽構(gòu)件分別在俯視時(shí)設(shè)于在磁體單元進(jìn)行往復(fù)運(yùn)動(dòng)的期間內(nèi)一對(duì)磁體排列體中的僅一者通過的第1區(qū)域與在磁體單元進(jìn)行往復(fù)運(yùn)動(dòng)的期間內(nèi)一對(duì)磁體排列體中的兩者通過的第2區(qū)域之間的邊界線上。

技術(shù)領(lǐng)域

本公開涉及成膜裝置和成膜方法。

背景技術(shù)

在專利文獻(xiàn)1中公開有一種具備濺射室、磁控陰極以及以能夠送入送出的方式設(shè)于濺射室內(nèi)的基板保持件的濺射裝置。在該濺射裝置中，磁控陰極包括：靶，其與基板保持件相對(duì)且分開地設(shè)置，該靶為在矩形的縱長方向上的兩端部附加橢圓的弧狀的突起部而成的形狀；以及磁體單元構(gòu)造體，其與靶的背面?zhèn)认鄬?duì)且分開地設(shè)置。另外，磁體單元構(gòu)造體包括安裝構(gòu)件和安裝于安裝構(gòu)件的多個(gè)磁體單元，且與使其在靶的縱長方向上往復(fù)運(yùn)動(dòng)的運(yùn)動(dòng)機(jī)構(gòu)連結(jié)。而且，磁體單元中的安裝于安裝構(gòu)件的兩端部的磁體單元包括：磁軛，其以與相對(duì)于靶的侵蝕區(qū)域?qū)?yīng)的方式設(shè)定，該磁軛的至少局部呈橢圓的弧狀；外周磁體，其沿著磁軛的外周設(shè)置；以及中心磁體，其設(shè)于磁軛的中心部附近，該中心磁體與該外周磁體極性相反。

現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)

專利文獻(xiàn)

專利文獻(xiàn)1：日本特開2003－293130號(hào)公報(bào)

發(fā)明內(nèi)容

發(fā)明要解決的問題

本公開的技術(shù)在利用磁控濺射在基板上形成膜的情況下防止在基板周緣部產(chǎn)生濺射粒子的覆蓋量的偏差。

用于解決問題的方案

本公開的一技術(shù)方案為一種成膜裝置，其利用磁控濺射在基板上形成膜，其中，該成膜裝置包括：靶保持件，其以靶朝向作為成膜對(duì)象的基板且靶沿水平面內(nèi)的預(yù)定的方向延伸的方式在正面保持該靶；磁體單元，其具有通過排列磁體而構(gòu)成的磁體排列體，并且設(shè)于所述靶保持件的背面?zhèn)龋灰粚?duì)遮蔽構(gòu)件，其在被所述靶保持件保持著的所述靶與所述作為成膜對(duì)象的基板之間以自該靶朝向該作為成膜對(duì)象的基板延伸的方式設(shè)置；以及移動(dòng)機(jī)構(gòu)，其使所述磁體單元以在被所述靶保持件保持著的所述靶的所述預(yù)定的方向上的一端與另一端之間進(jìn)行往復(fù)運(yùn)動(dòng)的方式移動(dòng)，所述磁體單元以所述磁體排列體沿著所述預(yù)定的方向并列的方式設(shè)有一對(duì)所述磁體排列體，所述遮蔽構(gòu)件分別在俯視時(shí)設(shè)于在所述磁體單元進(jìn)行所述往復(fù)運(yùn)動(dòng)的期間內(nèi)所述一對(duì)所述磁體排列體中的僅一者通過的第1區(qū)域與在所述磁體單元進(jìn)行所述往復(fù)運(yùn)動(dòng)的期間內(nèi)所述一對(duì)所述磁體排列體中的兩者通過的第2區(qū)域之間的邊界線上。

發(fā)明的效果

根據(jù)本公開，能夠在利用磁控濺射在基板上形成膜的情況下防止在基板周緣部產(chǎn)生濺射粒子的覆蓋量的偏差。

附圖說明

圖1是用于說明磁體排列體的一個(gè)例子的立體圖。

圖2是用于說明以往技術(shù)的問題的圖。

圖3是用于說明以往技術(shù)的問題的圖。

圖4是示意性地表示了本實(shí)施方式的成膜裝置的結(jié)構(gòu)的概略的縱剖視圖。

圖5是概略地表示磁體單元的剖視圖。

圖6是用于說明遮蔽構(gòu)件的圖，是僅表示處理容器內(nèi)的主要部分的圖。