[發明專利]一種拋光墊

有效

• 申請號: 202011614266.7
• 申請日: 2020-12-31
• 公開（公告）號: CN112720282B
• 公開（公告）日: 2022-04-08
• 發明（設計）人: 劉敏;王騰;邱瑞英;黃學良;楊佳佳;張季平
• 申請（專利權）人: 湖北鼎匯微電子材料有限公司;長江存儲科技有限責任公司;湖北鼎龍控股股份有限公司
• 主分類號: B24D7/00
• 分類號: B24D7/00
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種拋光墊，其特征在于，包括研磨層，所述研磨層的硬度范圍為50-65D，密度范圍為0.65-0.85g/cm³，壓縮率范圍為0.001-0.05；所述研磨層與直徑為Dw的被研磨材料直接接觸，所述研磨層包括至少兩個同心圓溝槽，定義最內側的同心圓溝槽為第一同心圓，最外側的同心圓溝槽為第二同心圓；第一同心圓和第二同心圓界定多個研磨區域，定義在半徑方向上，第一同心圓最內側與研磨層中心的距離為W1，第二同心圓最外側與研磨層邊緣的距離為W3，研磨層的半徑為R，其中：

第一研磨區，其具有第一同心圓內部區域，其寬度為W1；

第二研磨區，其具有所述第一同心圓與所述第二同心圓之間的區域，其寬度W2=R-W1-W3；

第三研磨區；其具有所述第二同心圓與所述研磨層邊緣之間的區域，其寬度為W3；所述第三研磨區還包括第三溝槽，所述第三溝槽的外側端與研磨層邊緣連接，第三溝槽的內側端設置在第三研磨區內部，不與第二研磨區的同心圓溝槽相連，所述第三溝槽的個數為2*K，1≤K≤48，K為整數；

所述第二研磨區寬度W2滿足：W2的范圍為0.8Dw-0.995Dw，W2/P的范圍為70-380，W2/R的范圍為0.62-0.77；

所述第二研磨區同心圓溝槽的寬度為Wa，溝槽間距為P，Wa/P的范圍為0.05-0.35；

W1/R的范圍為0.11-0.33，W3/R的范圍為0.05-0.12；

所述拋光墊還包括緩沖層，所述緩沖層的硬度范圍為60-85A，密度范圍為0.26-0.4g/cm³，壓縮率范圍為0.03-0.12。

2.根據權利要求1所述的拋光墊，其特征在于，所述研磨層與緩沖層的硬度差范圍為29-45.5D，密度差范圍為0.32-0.46g/cm³，壓縮率差的絕對值范圍為0.025-0.089。

3.根據權利要求1或2所述的拋光墊，其特征在于，所述第三溝槽的總面積Sb與所述第二研磨區同心圓溝槽的總面積Sa滿足：0.01≤Sb/Sa≤0.2。

4.根據權利要求1或2所述的拋光墊，其特征在于，所述第三溝槽為直線，所述第三溝槽的長度為Lb，0.50W3≤Lb≤0.99W3，所述第三溝槽的寬度為Wb，Wb的范圍為0.5-6mm。

5.根據權利要求1所述的拋光墊，其特征在于，W2/P的范圍為70-200，W3/R的范圍為0.06-0.10。

6.根據權利要求1所述的拋光墊，其特征在于，所述研磨層的硬度范圍為54-64D，密度范圍為0.67-0.73g/cm³，壓縮率范圍為0.001-0.025。

7.根據權利要求1所述的拋光墊，其特征在于，所述緩沖層的硬度范圍為67-77A，密度范圍為0.27-0.35g/cm³，壓縮率范圍為0.05-0.09。

8.根據權利要求2所述的拋光墊，其特征在于，所述研磨層與緩沖層的硬度差范圍為35-45D，密度差范圍為0.35-0.43g/cm³。

9.根據權利要求3所述的拋光墊，其特征在于，所述第三溝槽的總面積Sb與所述第二研磨區同心圓溝槽的總面積Sa滿足：0.02≤Sb/Sa≤0.1。

10.根據權利要求4所述的拋光墊，其特征在于，所述第三溝槽為直線，所述第三溝槽的長度為Lb，0.80W3≤Lb≤0.95W3，所述第三溝槽的寬度為Wb，Wb的范圍為2.5-4.5mm。

11.根據權利要求1或2所述的拋光墊，其特征在于，所述第三溝槽的總體積Vb與第二研磨區同心圓溝槽的總體積Va之比的范圍為0.005-0.3。