[發(fā)明專利]一種帶電壓建立標(biāo)志的負(fù)壓電荷泵電路及flash芯片在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202011614123.6 | 申請(qǐng)日: | 2020-12-30 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN112636588A | 公開(kāi)(公告)日: | 2021-04-09 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 龍冬慶;劉夢(mèng);吳彤彤 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 深圳市芯天下技術(shù)有限公司 |
| 主分類號(hào): | H02M3/07 | 分類號(hào): | H02M3/07;G01R19/00 |
| 代理公司: | 佛山市海融科創(chuàng)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 44377 | 代理人: | 陳志超;唐敏珊 |
| 地址: | 518000 廣東省深圳市龍崗區(qū)橫*** | 國(guó)省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 電壓 建立 標(biāo)志 壓電 電路 flash 芯片 | ||
1.一種帶電壓建立標(biāo)志的負(fù)壓電荷泵電路,其特征在于,包括:
采樣模塊,用于采集電荷泵核心模塊的輸出電壓;
第一比較器,用于比較采樣模塊采集到的輸出電壓與第一基準(zhǔn)電壓的大小,并輸出比較結(jié)果;
振蕩器,用于根據(jù)第一比較器的比較結(jié)果產(chǎn)生振蕩信號(hào);
電荷泵核心模塊,根據(jù)振蕩器的振蕩信號(hào)產(chǎn)生輸出電壓;
第二比較器,用于比較采樣模塊采集到的輸出電壓與第二基準(zhǔn)電壓的大小,并根據(jù)比較結(jié)果決定是否輸出電荷泵輸出電壓建立標(biāo)志;
所述采樣模塊的一端與電荷泵核心模塊的電壓輸出端連接,采樣模塊的另一端與第一比較器的正輸入端連接,第一比較器的負(fù)輸入端輸入第一基準(zhǔn)電壓,第一比較器的輸出端與振蕩器一端連接,振蕩器另一端與電荷泵核心模塊的輸入端連接;采樣模塊的另一端與第二比較器的正輸入端連接,第二比較器的輸入端輸入第二基準(zhǔn)電壓,第二比較器的輸出端輸出電荷泵輸出電壓建立標(biāo)志。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的帶電壓建立標(biāo)志的負(fù)壓電荷泵電路,其特征在于,所述采樣模塊包括第一電阻R1和第二電阻R2,所述第一電阻R1的一端連接電荷泵核心模塊的電壓輸出端,第一電阻R1另一端和第二電阻R2一端連接,第一電阻R1另一端與第一比較器的正輸入端連接,第一電阻R1另一端與第二比較器的正輸入端連接,第二電阻R2另一端接地。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的帶電壓建立標(biāo)志的負(fù)壓電荷泵電路,其特征在于,所述第二基準(zhǔn)電壓的取值標(biāo)準(zhǔn)為:在電荷泵核心模塊的輸出電壓達(dá)到設(shè)定值時(shí),第二比較器比較采樣模塊采集到的輸出電壓與第二基準(zhǔn)電壓得出的比較結(jié)果使第二比較器的輸出實(shí)現(xiàn)翻轉(zhuǎn)。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的帶電壓建立標(biāo)志的負(fù)壓電荷泵電路,其特征在于,所述第一比較器包括第一mos管P1、第二mos管P2、第三mos管N1、第四mos管N2,所述第三mos管N1的柵極輸入第一基準(zhǔn)電壓,第二mos管P2的源極和柵極連接在一起后與第三mos管N1的漏極連接,第三mos管N1的源極與第四mos管N2的源極連接,第二mos管P2的漏極與第一mos管P1的漏極連接,第一mos管P1的源極連接第四mos管N2的漏極,第一mos管P1的柵極連接第二mos管P2的柵極,第四mos管N2的柵極連接第一電阻R1另一端。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的帶電壓建立標(biāo)志的負(fù)壓電荷泵電路,其特征在于,所述第一mos管P1、第二mos管P2采用pmos管,第三mos管N1、第四mos管N2采用nmos管。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的帶電壓建立標(biāo)志的負(fù)壓電荷泵電路,其特征在于,所述第二比較器包括第五mos管P3、第六mos管P4、第七mos管N3、第八mos管N4,所述第七mos管N3的柵極輸入第二基準(zhǔn)電壓,第六mos管P4的源極和柵極連接在一起后與第七mos管N3的漏極連接,第七mos管N3的源極與第八mos管N4的源極連接,第六mos管P4的漏極與第五mos管P3的漏極連接,第五mos管P3的源極連接第八mos管N4的漏極,第五mos管P3的柵極連接第六mos管P4的柵極,第八mos管N4的柵極連接第一電阻R1另一端。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的帶電壓建立標(biāo)志的負(fù)壓電荷泵電路,其特征在于,所述第五mos管P3、第六mos管P4采用pmos管,第七mos管N3、第八mos管N4采用nmos管。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的帶電壓建立標(biāo)志的負(fù)壓電荷泵電路,其特征在于,所述第二比較器的輸出端與反相器的輸入端連接,反相器的輸出端輸出電荷泵輸出電壓建立標(biāo)志。
9.一種flash芯片,其特征在于,包括如權(quán)利要求1至8任一所述的帶電壓建立標(biāo)志的負(fù)壓電荷泵電路。
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